Технология химического осаждения пленок халькогенидов металлов
Покупка
Издательство:
Издательство Уральского университета
Авторы:
Маскаева Лариса Николаевна, Марков Вячеслав Филиппович, Форостяная Наталья Александровна, Федорова Екатерина Алексеевна, Туленин Станислав Сергеевич, Смирнова Зинаида Игоревна, Титов Александр Натанович
Год издания: 2018
Кол-во страниц: 136
Дополнительно
Вид издания:
Учебное пособие
Уровень образования:
ВО - Бакалавриат
ISBN: 978-5-7996-2411-8
Артикул: 798555.01.99
Доступ онлайн
В корзину
В учебном пособии изложены теоретический материал и алгоритмы выполнения курсовых работ, предлагаемых студентам по ряду профильных дисциплин, связанных с прогнозированием условий и проведением процесса осаждения полупроводниковых пленок на основе халькогенидов металлов и других сопутствующих фаз. Приведены необходимый для выполнения расчетов обширный справочный материал, рекомендации по содержанию
и оформлению отчетов. Исходя из известных рабочих рецептур, подобраны различные варианты индивидуальных заданий по курсовым работам. Предназначено для студентов бакалавриата и магистрантов, обучающихся по программе «Химическая технология материалов электроники, сенсорной аналитики и неорганических веществ», будет полезно аспирантам различных специальностей и преподавателям вузов.
Тематика:
ББК:
УДК:
ОКСО:
- ВО - Бакалавриат
- 18.03.01: Химическая технология
- ВО - Магистратура
- 18.04.01: Химическая технология
ГРНТИ:
Скопировать запись
Фрагмент текстового слоя документа размещен для индексирующих роботов.
Для полноценной работы с документом, пожалуйста, перейдите в
ридер.
МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ УРАЛЬСКИЙ ФЕДЕРАЛЬНЫЙ УНИВЕРСИТЕТ ИМЕНИ ПЕРВОГО ПРЕЗИДЕНТА РОССИИ Б. Н. ЕЛЬЦИНА ТЕХНОЛОГИЯ ХИМИЧЕСКОГО ОСАЖДЕНИЯ ПЛЕНОК ХАЛЬКОГЕНИДОВ МЕТАЛЛОВ Учебное пособие Рекомендовано методическим советом Уральского федерального университета в качестве учебного пособия для студентов вуза, обучающихся по направлению подготовки 18.03.01, 18.04.01 «Химическая технология» Екатеринбург Издательство Уральского университета 2018
УДК 539.23:546.3(075.8) ББК 24.126я73-1 Т384 В учебном пособии изложены теоретический материал и алгоритмы выполнения курсовых работ, предлагаемых студентам по ряду профильных дисциплин, связанных с прогнозированием условий и проведением процесса осаждения полупроводниковых пленок на основе халькогенидов металлов и других сопутствующих фаз. Приведены необходимый для выполнения расчетов обширный справочный материал, рекомендации по содержанию и оформлению отчетов. Исходя из известных рабочих рецептур, подобраны различные варианты индивидуальных заданий по курсовым работам. Предназначено для студентов бакалавриата и магистрантов, обучающихся по программе «Химическая технология материалов электроники, сенсорной аналитики и неорганических веществ», будет полезно аспирантам различных специальностей и преподавателям вузов. Технология химического осаждения пленок халькогенидов металлов : учеб. пособие / [Л. Н. Маскаева, В. Ф. Марков, Н. А. Форостяная, С. С. Ту- ленин, Е. А. Федорова, З. И. Смирнова, А. Н. Титов ; под общ. ред. Л. Н. Мас- каевой] ; М-во образования и науки Рос. Федерации, Урал. федер. ун-т. – Екатеринбург : Изд-во Урал. ун-та, 2018. – 136 с. ISBN 978-5-7996-2411-8 Т384 ISBN 978-5-7996-2411-8 УДК 539.23:546.3(075.8) ББК 24.126я73-1 © Уральский федеральный университет, 2018 А в т о р ы: Л. Н. Маскаева, В. Ф. Марков, Н. А. Форостяная, С. С. Туленин, Е. А. Федорова, З. И. Смирнова, А. Н. Титов П о д о б щ е й р е д а к ц и е й доктора химических наук, профессора Л. Н. Маскаевой Р е ц е н з е н т ы: Институт физических и химических проблем и трансферной безопасности Уральского государственного аграрного университета (директор института доктор технических наук, профессор Н. М. Барбин); М. Г. Зуев, доктор химических наук, профессор (Институт химии твердого тела УрО РАН)
ОГЛАВЛЕНИЕ Предисловие ................................................................................................................................. 5 Введение ...................................................................................................................................... 6 1. ОПРЕДЕЛЕНИЕ ГРАНИЧНЫХ УСЛОВИЙ ОБРАЗОВАНИЯ ТВЕРДЫХ ФАЗ ХАЛЬКОГЕНИДА, ГИДРОКСИДА И ЦИАНАМИДА МЕТАЛЛА ................................. 8 1.1. Расчет граничных условий образования халькогенидов, гидроксидов и цианамидов металла при осаждении тио-, селенокарбамидом .......................... 8 1.2. Расчет граничных условий образования сульфида и гидроксида металла при осаждении тиоацетамидом ................................................................................ 16 1.3. Расчет граничных условий образования селенида и гидроксида металла при осаждении селеносульфатом натрия ................................................................ 20 1.4. Пример выполнения расчета граничных условий образования твердой фазы CdS при осаждении тиокарбамидом .............................................. 24 1.5. Учет кристаллизационного фактора при образовании халькогенидов металлов .............................................................. 28 Требования к оформлению курсовой работы ..................................................................... 32 Курсовая работа 1 .................................................................................................................... 33 2. РАСЧЕТ УСЛОВИЙ ОБРАЗОВАНИЯ ХАЛЬКОГЕНИДОВ МЕТАЛЛОВ И ТВЕРДЫХ РАСТВОРОВ ЗАМЕЩЕНИЯ ПО СТЕПЕНИ ПРЕВРАЩЕНИЯ СОЛИ МЕТАЛЛА ............................................................ 41 Общие положения по определению области образования твердых растворов замещения халькогенидов металлов по степени превращения соли металла ........... 41 Курсовая работа 2 .................................................................................................................... 48 3. ТЕРМОДИНАМИЧЕСКАЯ ОЦЕНКА СПОСОБНОСТИ ХАЛЬКОГЕНИДОВ МЕТАЛЛОВ ......................................................................................... 66 3.1. Ионный обмен на межфазной границе «халькогенид металла – водный раствор» ............................................................... 66 3.1.1. Пути протекания и особенности ионообменных процессов ..................... 67 3.1.2. Ионообменная трансформация на поверхности тонкопленочных сорбентов ............................................... 69 3.2. Основы термодинамического анализа вероятности протекания реакции ионного обмена на межфазной границе «тонкая пленка A2XnТВ – водный раствор металла-заместителя» ......................... 72 3.2.1. Анализ величин произведений растворимости ............................................ 72 3.2.2. Сопоставление значений растворимости халькогенидов металлов ............ 76 Курсовая работа 3 ..................................................................................................................... 78
4. ХИМИЧЕСКОЕ ОСАЖДЕНИЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СОЕДИНЕНИЙ ИЗ ГАЗОВОЙ ФАЗЫ ............................................................................................................. 95 4.1. Химические транспортные реакции ......................................................................... 95 4.2. Направление химических транспортных реакций .................................................. 98 4.3. Классификация химических транспортных реакций .............................................. 99 4.4. Термодинамический расчет химического транспорта арсенида галлия парами воды ................................................................................................................ 101 4.4.1. Определение температурного хода констант равновесия реакций .......... 103 4.4.2. Расчет состава газовой фазы .......................................................................... 107 4.4.3. Расчет области стехиометричности газовой фазы ..................................... 115 Курсовая работа 4 .................................................................................................................. 119 Приложение ............................................................................................................................. 122 Библиографические ссылки .................................................................................................. 131 Список рекомендуемой литературы .................................................................................... 132
ПРЕДИСЛОВИЕ Пленки сульфидов и селенидов свинца, кадмия, олова и цинка являются базовыми полупроводниковыми материалами, которые широко используются в микро- и оптоэлектронике. Перспективными методами их получения явля- ются химическое осаждение из водных растворов и газофазный синтез. Одна- ко при организации этих процессов, как правило, используют рецептурно-экспе- риментальный подход. Основная идея настоящего пособия – собрать воедино успешно апробированные расчетные методики определения предваритель- ных условий синтеза материалов, базируясь на многолетнем опыте работы ка- федры физической и коллоидной химии и кафедры физики конденсированного состояния и наноразмерных систем Уральского федерального университета. Предлагаемое пособие посвящено основным расчетным методикам, ис- пользуемым для прогнозирования путей протекания и результатов синтеза тонких пленок из водных растворов и газовой фазы, и включает четыре курсо- вые работы. При изложении работ подробно приводятся примеры расчетов, а также варианты оформления их результатов, которые могут использоваться в качестве образца. Имеется список рекомендуемой литературы. Все необхо- димые для выполнения расчетов термодинамические константы и справоч- ные величины даны в приложении.
ВВЕДЕНИЕ Гидрохимический синтез в широком смысле – это синтез из водных раст- воров. В настоящее время существуют три основные разновидности этого ме- тода: химическое осаждение из растворов (без применения электрического тока), электрохимическое осаждение и распыление реакционных растворов на нагре- тую подложку с последующим пиролизом. Чаще термин «гидрохимический синтез» (гидрохимическое осаждение) применяют в узком смысле, подразуме- вая первый из указанных методов. Гидрохимическое осаждение халькогенидов металлов тио-, селеноамидами и их производными известно давно. Так, уже в 1884 г. Дж. Э. Рейнольдс наблю- дал зеркальную пленку сульфида свинца на стенках сосуда при нагревании ще- лочного раствора, содержащего виннокислую соль свинца и тиокарбамид (тио- мочевину). Заметим, что данный метод позволяет получать тонкие пленки халь- когенидов металлов и твердых растворов замещения на их основе; при этом, если оценивать преимущества данного метода по сравнению с другими тонко- пленочными технологиями, нельзя не отметить его высокую конкурентоспо- собность при достижении требуемых электрофизических свойств получаемых слоев. Метод отличается технологической простотой и минимальным энерго- потреблением, гибкостью управления процессом и широкими возможностями варьирования состава и функциональных свойств, а также позволяет наносить тонкие пленки на поверхности различной конфигурации. Одно из важнейших достоинств химического осаждения из водных сред связано с его низкотемпературной организацией – возможностью проведения «мягкохимического» синтеза, что позволяет рассматривать данный метод как один из перспективных для получения метастабильных по своей природе соеди- нений халькогенидов металлов сложного состава. Например, халькогениды свинца, кадмия, меди и других металлов, а также твердые растворы замеще- ния на их основе, полученные гидрохимической технологией осаждения, на про- тяжении десятилетий находят широкое применение в оптоэлектронике, сенсор- ной технике, солнечной энергетике. Общепризнано, что развитие гидрохимической технологии осаждения пле- нок халькогенидов металлов тесно связано с работами кафедры физической и коллоидной химии УрФУ. Широкое распространение в последние годы получил также метод газофаз- ного химического осаждения (CVD). Процесс используется для получения вы- сокочистых твердых материалов в индустрии тонкопленочных полупровод- никовых слоев. Как правило, в процессе CVD подложка помещается в пары од-
ного или нескольких веществ, которые, вступая в реакцию и/или разлагаясь, формируют на поверхности подложки необходимое вещество. Часто образуется также газообразный продукт реакции, выносимый из камеры с потоком газа. С помощью CVD-процесса производят материалы различных структур: моно- кристаллы, поликристаллы, аморфные тела и эпитаксиальные пленки широкого круга веществ. Однако, несмотря на весомый вклад в разработку физико-химических основ рассматриваемых методов синтеза, внесенный различными научными школами, и полученные ими результаты, до настоящего времени в технологии преобладает рецептурно-экспериментальный подход. Для уменьшения объема экспериментальных исследований актуальным является прогнозирование условий осаждения халькогенидов металлов (выбор оптимального значения pH, начальной концентрации соли металла, типа халькогенизатора, вида и концентрации лигандов), а также образующихся при этом сопутствующих фаз. Прогнозированием условий образования халькогенидов металлов при гидрохимическом осаждении исследователи занялись еще с момента широкого практического использования данного метода. Определенные успехи в этом направлении были достигнуты на основе предположений, что в основе существующих представлений о механизме взаимодействия тио-, селенокарбамида с солями металлов лежит либо реакция Mez+ с S2– (Se2–)-ионами, образующимися в растворе при щелочном гидролизе халькогенизаторов, либо процесс образования в системе тио-, селенокарбамидных комплексов металлов с их последующим разложением. Если учесть, что, согласно законам равновесной термодинамики, значения функций состояния системы не зависят от пути протекания процесса, а определяются лишь исходным и конечным состоянием системы, то процесс химического осаждения халькогенидов металлов удобнее представ- лять в рамках первого из приведенных выше механизмов в виде двух последо- вательных реакций – диссоциации тио-, селенокарбамида на сероводород (се- леноводород) и цианамид и взаимодействия сульфид (селенид)-ионов с неза- комплексованными ионами металла. Это положение легло в основу термодинамического расчета осаждения халькогенидов металлов с помощью тиоамидов, разработанного в УрФУ профес- сором Г. А. Китаевым с сотр. в конце 60-х гг. прошлого века. В дальнейшем этот подход был развит его учениками, обоснован экспериментально и успешно апро- бирован при синтезе многих халькогенидных соединений. Представленные в на- стоящем пособии четыре курсовые работы в целом базируются на его исполь- зовании для целенаправленного синтеза тонких пленок, важнейших для микро- и оптоэлектроники функциональных материалов халькогенидной природы. Раз- работанный подход позволяет до начала эксперимента надежно прогнозировать граничные условия и области образования халькогенида, цианамида или гидрок- сида металла в зависимости от начальных условий процесса, используя при этом базовые термодинамические величины и константы.
1. ОПРЕДЕЛЕНИЕ ГРАНИЧНЫХ УСЛОВИЙ ОБРАЗОВАНИЯ ТВЕРДЫХ ФАЗ ХАЛЬКОГЕНИДА, ГИДРОКСИДА И ЦИАНАМИДА МЕТАЛЛА 1.1. Расчет граничных условий образования халькогенидов, гидроксидов и цианамидов металла при осаждении тио-, селенокарбамидом Для осаждения и аналитического определения тяжелых металлов широко используются некоторые тио-, селеноамиды. Эти соединения привлекли внима- ние исследователей вследствие того, что в водных растворах они гидролизуют- ся с отщеплением серо- или селеноводорода. Стоит отметить существенное пре- имущество тио-, селеноамидов: H2S (H2Se) и затем ионы S2– (Se2–) образуются непосредственно в растворе, что позволяет регулировать скорость реакции и пол- ноту выделения халькогенидов металлов. Заметим, что в отличие от тиокарбамида (NH2)2CS водный раствор селе- нокарбамида (NH2)2CSe менее устойчив, особенно на свету. Это связано с тем, что (NH2)2CSe легко окисляется кислородом воздуха, в результате чего раст- вор краснеет за счет выделяющегося селена. Наиболее активно этот процесс протекает в нейтральных и щелочных средах, в то время как кислые раство- ры более устойчивы. Осаждение халькогенидов металлов из растворов с тио- и селенокарбами- дом можно представить в виде следующей химической реакции: mMeLх n + + nN2H4CX + 4nОН– = MemXn + mхL + nCN2 2 – + 4nH2O, где m и n – стехиометрическое число атомов халькогена и металла в соединении соответственно; MeLх n + – комплексный ион металла; X – S, Se; N2H4CX – халько- генизатор (тио- или селенокарбамид); MemXn – труднорастворимый халькоге- нид металла; CN2 2 – – цианамид-ион. При оценке условий образования индивидуальных халькогенидов метал- лов методом гидрохимического осаждения введем понятие граничных условий образования халькогенида металла, под которыми подразумевают минималь- ное содержание соли металла в растворе, которое соответствует началу процесса ее превращения в халькогенид. В первом приближении в качестве критерия образования халькогенида ме- талла в разбавленных растворах без учета создания необходимого пересыщения используем равенство
ПИMemXn = ПРMemXn, (1.1) где ПИMemXn – ионное произведение, т. е. произведение активностей незакомплек- сованной формы ионов металла Men+и халькогенид-иона Xm–; ПРMemXn – произве- дение растворимости твердой фазы халькогенида металла, являющееся при дан- ной температуре постоянной величиной. Известно, что для разбавленных и малорастворимых соединений можно при- нять коэффициенты активности ионов Men+ и Xm– равными единице, тогда можно записать произведение растворимости через концентрации этих ионов в степенях, равных стехиометрическим коэффициентам реакции MemXn mMen+ + nXm–, в следующем виде: – – Me X н н p p ПP Me X Me X , m n m n m n n m n m (1.2) где [Men+]н, [Xm–]н и [Men+]р, [Xm–]р – начальные и равновесные концентрации ионов металла и халькогена соответственно. Концентрацию свободных (незакомплексованных) ионов металла [Men+] можно рассчитать по формуле Me Me Me , n n C (1.3) где Men – долевая концентрация свободных ионов металла; СМее – суммарная (общая) концентрация металла в растворе. Приведем выражение для определения Men . Для этого в первую очередь необходимо представить общую концентрацию соли металла СМе в виде суммы свободных и закомплексованных его ионов в растворе: Me 1 1 2 2 3 4 3 4 Me MeL ... Me(L ) MeL ... [Me(L ) ] [MeL L ] ... [Me(L L ) ] ... , n n n n n X y n n z C (1.4) где x, y, z – число лигандов типа L1, L2, L3 соответственно, входящее в комп- лексное соединение металла. Используя определение константы нестойкости в случае обратимых реак- ций, запишем для одного из комплексов металла соотношение концентраций металла [Men+] и лигандов к концентрации комплекса в растворе: 3 4 н 3 4 [Me ] [L ] [L ] [MeL L ] , n n k где kн – константа нестойкости различных комплексных форм металла, спра- вочная величина; L3, L4 – концентрации свободных лигандов.
Отсюда выразим концентрацию комплексного иона металла в растворе: 3 4 3 4 н [Me ] [L ] [L ] MeL L n n k (1.5) Таким образом, подставляя уравнение (1.5) в общее уравнение суммарной концентрации металла в растворе (1.4), получим 1 1 н 1 1 н 1 1, 2 ... 2 2 н 2 1 н 2 1, 2... 3 4 3 4 н 3 1 н 4 1 н 3 1, 2... н 4 1, 2... [Me ] [L ] [Me ] [L ] [Me ] ... Me (L ) (L ) [Me ] [L ] [Me ] [L ] ... (L ) (L ) [Me ] [L ] [L ] [Me ] [L ] [L ] ... ... (L ) (L ) (L ) (L ) n n x n x n n y y n n z z z z C k k k k k k k k (1.6) Еще раз обратимся к уравнению (1.2) для нахождения долевой концентрации свободных ионов металла в растворе: Ме Ме [Me ] n n (1.7) Определение Men осуществляется на основе расчета ионных равновесий в конкретной системе, содержащей те или иные лиганды, с использованием констант нестойкости (констант образования) комплексных ионов и характеризует долю свободных ионов металла, способных вступать в химическую реакцию с Х2–-ионами. Подстановка в уравнение (1.7) выражения суммарной (общей) концентрации металла в растворе (1.6) дает равенство, характеризующее Men : Ме 1 1 н 1 1 н 1 1, 2... 1 1 н 1 1 н 1 1, 2... [Me ] [L ] [L ] [Me ] (1 ... ) (L ) (L ) 1 [L ] [L ] 1 ... (L ) (L ) n n x n x x x k k k k (1.8) В общем виде уравнение (1.8) можно представить следующим образом: 1 2 1, 2 ... 2 Ме н н 1 [L] [L] [L] 1 ... n х н k k k (1.9)
Использование различных по силе лигандов и изменение их концентрации позволяет регулировать количество свободных ионов металла в растворе. Вернемся к уравнению (1.2), в котором использовалось равенство произведения растворимости халькогенида металла произведению концентрации свободных ионов металла [Men+] и халькогенид-ионов [X2–]. Первый множитель [Men+] был рассмотрен выше, поэтому сейчас более подробно остановимся на втором [X2–]. Источником халькогенид-ионов в процессе осаждения халькогенидной фазы выступает тио- или селенокарбамид, при этом продуктами превращения на первом этапе будут серо-, селеноводород и цианамид: NH2 N H2 S(Se) H2S(Se) N N H H + Обратимый характер этой реакции применительно к разложению тиокар- бамида был установлен Г. А. Китаевым и И. Т. Романовым. Константа равновесия процесса KC может быть определена как 2 р 2 2 р C р [H X] [H CN ] [ ] , K (1.10) где [H2X]р, [H2CN2]р, [ХГ]р – равновесные концентрации серо-, селеноводород- ной кислоты, цианамида и тио-, селенокарбамида соответственно. Оба продукта реакции (как серо-, селеноводородная кислота, так и цианамид) являются слабыми электролитами, т. е. в разбавленных растворах практически полностью диссоциируют на ионы. С учетом этого константы ионизации серо-, селеноводородной кислоты и цианамида соответственно можно пред- ставить в следующем виде: + – 2 2 1 1, 2 3 3 H X HX 2 2 2 [H O ] [HX ] [H O ] [X ] [H X] [H X] , , k k (1.11) – 2 2 2 – 2 2– 1 1, 2 3 2 3 2 H CN HCN 2 2 2 2 [H O ] [HCN ] [H O ] [CN ] [H CN ] [H CN ] , , k k (1.12) где – 2 1 1 HCN HX , k k – константы ионизации серо-, селеноводородной кислоты и циа- намида по первой ступени соответственно; 2 2 2 1, 2 1, 2 H X H CN , k k – константы ионизации серо-, селеноводородной кислоты и цианамида соответственно; [H3O+] – кон- центрация ионов гидроксония, равная 1·10–pH. Из уравнений (1.11) и (1.12) видно, что халькогенид и цианамид-ионы лишь частично находятся в свободном (незакомплексованном) виде, поэтому суммар-
Доступ онлайн
В корзину