Размер шрифта:
А
А
А
|  Шрифт:
Arial
Times
|  Интервал:
Стандартный
Средний
Большой
|  Цвет сайта:
Ц
Ц
Ц
Ц
Ц

СВЧ-приборы и интегральные микросхемы : расчет параметров селективно легированного гетеротранзистор

Доступ онлайн
2 000 Р
В корзину

СВЧ-приборы и интегральные микросхемы : расчет параметров селективно легированного гетеротранзистор

Нет доступа
Новинка
Издательство: ИД МИСиС
Вид издания: Учебное пособие
Уровень образования: ВО - Бакалавриат
Год издания
1998
Кол-во страниц
31
Артикул
753397.01.99
Аннотация
В данном пособии излагаются физические принципы создания на границе гетероперехода, между широкозонным и узкозонным полупроводниковыми материалами, слоя двумерного электронного газа. Рассматриваются причины увеличения подвижности электронов и как следствие расширения частотного диапазона работы полевых транзисторов. Изучаются принципы работы полевых транзисторов с селективным легированием, их конструкции и методы управления концентрацией электронов в канале. Приводятся примеры расчета концентрации электронов, вольт - амперных и частотных характеристик СЛГТ.
Библиографическая запись Скопировать запись
Кольцов, Г. И. СВЧ-приборы и интегральные микросхемы : расчет параметров селективно легированного гетеротранзистор : учебное пособие / Г. И. Кольцов. - Москва : ИД МИСиС, 1998. - 31 с. - Текст : электронный. - URL: https://znanium.com/catalog/product/1239442 (дата обращения: 06.03.2021). – Режим доступа: по подписке.