В данном пособии излагаются физические принципы создания на границе гетероперехода, между широкозонным и узкозонным полупроводниковыми материалами, слоя двумерного электронного газа. Рассматриваются причины увеличения подвижности электронов и как следствие расширения частотного диапазона работы полевых транзисторов. Изучаются принципы работы полевых транзисторов с селективным легированием, их конструкции и методы управления концентрацией электронов в канале. Приводятся примеры расчета концентрации электронов, вольт - амперных и частотных характеристик СЛГТ.

Кольцов, Г. И. СВЧ-приборы и интегральные микросхемы : расчет параметров селективно легированного гетеротранзистор : учебное пособие / Г. И. Кольцов. - Москва : ИД МИСиС, 1998. - 31 с. - Текст : электронный. - URL: https://znanium.com/catalog/product/1239442 (дата обращения: 06.03.2021). – Режим доступа: по подписке.

• 170707: Схемотехника. Общие вопросы

• 312: Электроэнергетика. Электротехника

• 621: Общее машиностроение. Ядерная техника. Электротехника. Технология машиностроения в целом

• 11.03.01: Радиотехника
• 11.03.04: Электроника и наноэлектроника
• 12.03.01: Приборостроение
• 13.03.02: Электроэнергетика и электротехника
• 15.03.01: Машиностроение

• 47.33.31: Интегральные микросхемы

Кольцов Геннадий Иосифович

Национальный Исследовательский Технологический Университет "МИСИС"