Международная Крымская конференция «СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии»: 2011—2015: аннотированный библиографический указатель

Международная Крымская конференция

«СВЧ-техника и телекоммуникационные 

технологии»:

1991—2010

Москва

Инфра-М

2018

Международная Крымская конференция

«СВЧ-техника и телекоммуникационные 

технологии»:

1991—2010

аннотированный библиографический указатель

под редакцией к. т. н. Ермолова П. П.

Москва

Инфра-М; Znanium.com

2018

УДК 013:621.37/.39

ББК 91.9:32

М43

Ермолов, П.П.

Международная 
Крымская 
конференция 
«СВЧ-техника 
и 

телекоммуникационные 
технологии»: 
2011—2015:
аннотированный 

библиографический указатель / П.П. Ермолов, Н.Л. Ржевцева, Е.Г. Уткина и 
др. – М.: Инфра-М; Znanium.com, 2018. – 356 с.

ISBN 978-5-16-106591-4 (online)

Издание 
являет 
собой 
попытку 
объединить 
традиционный 

библиографический 
научно-вспомогательный 
указатель 
и

библиометрический анализ представленного в указателе документопотока. 
Все 2729 записей в основной части указателя распределены по 16-ти 
научным направлениям, внутри каждого направления записи

распределены в порядке прямой хронологии, внутри года — по алфавиту 
заглавий. В именной указатель включены 3487 авторов, которые 
представляют 496 университетов и предприятий 28-ми стран. Издание 
дополнено рядом других вспомогательных указателей.

Указатель предназначен для профильных специалистов и историков науки и 
техники.

ISBN 978-5-16-106591-4 (online)
© П.П. Ермолов, Н.Л. Ржевцева,

Е.Г. Уткина, Л.В. Пряхина, 2017, 2018

УДК 013:621.37/.39 
ББК 91.9:32 
        М43 
 
Рекомендовано к изданию методической комиссией 
Института радиоэлектроники и информационной безопасности 
Севастопольского государственного университета 
(протокол № 5 от 09.01.2017) 
 
Указатель издается при поддержке: 
Белорусского государственного университета информатики и радиоэлектроники, Минск 
Уральского федерального университета, Екатеринбург 
Томского государственного университета систем управления и радиоэлектроники 
ЗАО «Микроволновые системы», Москва 
 
Отв. составитель Н. Л. Ржевцева 
Составители: Е. Г. Уткина, Л. В. Пряхина 
 
Рецензенты: 
д-р техн. наук, проф. Гимпилевич Ю. Б. (СевГУ) 
д-р техн. наук, проф. Пестриков В. М. (СПбГИКиТ) 
 
 
 
 
 
 
 
 

М43

Международная Крымская конференция «СВЧ-техника и телекоммуникационные 

технологии» : 2011—2015 : аннотир. библиогр. указ. / Севастоп. гос. ун-т, Науч. б-ка ; 
под ред. к. т. н. П. П. Ермолова ; [отв. сост. Н. Л. Ржевцева]. — Севастополь, 2017. — 356 с. 

ISBN 978-966-335-432-3

 
Издание являет собой попытку объединить традиционный библиографический научно-вспомогательный указатель и библиометрический анализ представленного в указателе документопотока. Все 2729 записей в 
основной части указателя распределены по 16-ти научным направлениям, внутри каждого направления записи 
распределены в порядке прямой хронологии, внутри года — по алфавиту заглавий. В именной указатель включены 3487 авторов, которые представляют 496 университетов и предприятий 28-ми стран. Издание дополнено 
рядом других вспомогательных указателей. 
Указатель предназначен для профильных специалистов и историков науки и техники. 
 
УДК 013:621.37/.39 
ББК 91.9:32 
____________________________________ 
 

Научное издание

Отв. составитель Ржевцева Наталия Леонидовна

Международная Крымская конференция  
«СВЧ-техника и телекоммуникационные  
технологии»: 2011—2015:
аннотированный библиографический указатель
(на русском и английском языке)

Подписано в печать 09.01.2017 
Формат 29,7х42/2. Условн. печ. л. 41,12. Уч.-изд. л. 68,2 
Зак. 5-411. Тир. 100

Отпечатано ООО «Цифровая типография» 
ул. Челюскинцев, 291а, г. Донецк, 83121 
Тел.: (062) 388-07-31, 388-07-30

ISBN 978-966-335-432-3
© СевГУ, 2017

СОДЕРЖАНИЕ 
 
 
НАПРАВЛЕНИЯ КОНФЕРЕНЦИИ 
1: Твердотельные приборы и устройства СВЧ ……………………………………………………..……..……. 4 
1а: Моделирование и автоматизированное проектирование твердотельных приборов и устройств ……… 18 
2: Электровакуумные и микровакуумные приборы СВЧ …………………………………………...……..… 28 
3: Системы СВЧ-связи, вещания и навигации ……………………………………………………..…………. 47 
3а: Информационные технологии в телекоммуникациях …………………………………………..………... 72 
4: Антенны и антенные элементы …………………………………………………………………………….. 105 
5: Пассивные компоненты ……………………………………………………………………………….……. 127 
5a: Материалы и технология СВЧ-приборов ………………………………………………………………… 149 
5b: Наноэлектроника и нанотехнология ………………………………………………………………….….. 167 
6: СВЧ-электроника сверхбольших мощностей и эффекты ……………………………………………..…. 196 
6а: Электромагнитная и радиационная стойкость материалов и электронной компонентной базы …..… 205 
7: СВЧ-измерения ……………………………………………………………………………………………… 210 
8: Прикладные аспекты СВЧ-техники ………………………………………………………………………… 230 
8а: Микроволновые технологии и техника в биологии и медицине ……………………………………….. 248 
9: Радиоастрономия, дистанционное зондирование и распространение радиоволн ………………..…….. 260 
H: История развития радиотехнологий и телекоммуникаций ………………………………………………. 294 
ИМЕННОЙ УКАЗАТЕЛЬ ………………………………………………………………………………….….. 303 
УКАЗАТЕЛЬ ОРГАНИЗАЦИЙ ……………………………………………………………………….……… 323 
СОСТАВ ОРГАНИЗАЦИОННОГО И ПРОГРАММНОГО КОМИТЕТОВ ………………………….……. 345 
ОРГАНИЗАТОРЫ И СПОНСОРЫ …………………………………………………………………………… 348 
ТЕХНИЧЕСКАЯ И ИНФОРМАЦИОННАЯ ПОДДЕРЖКА ……………………………………………….. 349 
ДОКЛАДЫ, УДОСТОЕННЫЕ ПРЕМИЙ ОРГКОМИТЕТА КрыМиКо ……………………………….….. 349 
БИБЛИОГРАФИЧЕСКИЙ УКАЗАТЕЛЬ МАТЕРИАЛОВ КОНФЕРЕНЦИИ …………………………….. 352 
СПИСОК АББРЕВИАТУР ……………………………………………………………………………………. 353 

НАПРАВЛЕНИЯ КОНФЕРЕНЦИИ 
 
Направление 1: Твердотельные приборы и устройства СВЧ 
 
1 — 2011 

 
1. Влияние линейных размеров AlGaN/GaN 2D-канала сток 
— исток GaN полевого транзистора на его приборные характеристики (латеральный размерный эффект) / Н. А. Торхов, 
В. Г. Божков // 21-я Международная Крымская конференция 
«СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии», 12—
16 сентября 2011 г., Севастополь, Крым, Украина : КрыМиКо’2011 : материалы конф. : в 2 т. — Севастополь, 2011. — 
Т. 1. — С. 157—158 : рис., граф. — Библиогр. в конце ст. 
(3). — ISBN 978-966-335-352-4. 
Было показано, что в локальном приближении фрактальные свойства 2D-электронного газа AlGaN/GaN гетероструктур, определяющие зависимость погонного сопротивления ρ от длины l и ширины d канала сток — исток HEMT-транзистора значительно 
влияют на его приборные характеристики: сопротивление сток — 
исток Rsd, напряжение теплового пробоя Uн и крутизну Gм. Все 

это говорит о том, что при проектировании мощных HEMTтранзисторов на AlGaN/GaN необходимо учитывать фрактальные свойства материала. Из полученных результатов следует, 
что для материала с меньшими значениями предела локального 
приближения L максимальные значения приборных характеристик 
можно получать при меньших линейных размерах активных элементов транзисторов. 

 
2. Влияние особенностей сборки на характеристики мощных 
транзисторных усилителей / А. А. Капралова, Л. В. Манченко, 
А. Б. Пашковский, 
Т. И. Потапова, 
В. А. Пчелин, 
И. П. Чепурных // 21-я Международная Крымская конференция «СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии», 
12—16 сентября 2011 г., Севастополь, Крым, Украина : 
КрыМиКо’2011 : материалы конф. : в 2 т. — Севастополь, 
2011. — Т. 1. — С. 139—140 : граф. — Библиогр. в конце ст. 
(4). — ISBN 978-966-335-352-4. 
Рассчитаны поправки, связанные с краевыми эффектами в согласующих керамических вставках с высоким ε в зависимости от 
особенностей их монтажа и исследовано влияние этих поправок на 
характеристики мощных транзисторных усилителей. Показано, 
что различные способы сборки могут приводить к смещению рабочей частоты прибора до 1,5 ГГц. 

 
3. Выходная цепь СВЧ усилителя Догерти на ПТШ CLY5 / 
А. С. Прилипская, В. Г. Крыжановский // 21-я Международная Крымская конференция «СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии», 12—16 сентября 2011 г., Севастополь, Крым, Украина : КрыМиКо’2011 : материалы конф. : в 
2 т. — Севастополь, 2011. — Т. 1. — С. 145—146 : схема, 
граф., фото. — Библиогр. в конце ст. (4). — ISBN 978-966335-352-4. 
Разработан усилитель мощности (УМ) по схеме Догерти на частоту 800 МГц с использованием полевых транзисторов с барьером Шоттки CLY 5. Детально рассмотрена методика проектирования выходной цепи данного усилителя, выполнен ее расчет, моделирование и экспериментальное исследование прототипа. Проведено измерение S-параметров выходной цепи на векторном анализаторе Agilent, получено соответствие расчетных и экспериментальных данных. 

 
4. Выходная цепь усилителя класса F
-1 с щелевыми резонаторами 
в 
микрополосковой 
линии 
передачи 
/ 
В. Г. Крыжановский, Ю. В. Рассохина, П. Колантонио // 21я Международная Крымская конференция «СВЧ-техника и 
телекоммуникационные технологии», 12—16 сентября 2011 
г., Севастополь, Крым, Украина : КрыМиКо’2011 : материалы конф. : в 2 т. — Севастополь, 2011. — Т. 1. — С. 141—
142 : схема, граф. — Библиогр. в конце ст. (4). — ISBN 978966-335-352-4. 
Представлены результаты моделирования усилителя мощности 

класса «F
-1
» на GaN-транзисторе NPTB00004 на частоту 1,6 ГГц. 
В качестве фильтрующей цепи использовалась структура на основе щелевых резонаторов (ЩР) в заземляющем слое микрополоско
вой линии передачи (МПЛ). Полученные в результате моделирования КПД и выходная мощность усилителя на рабочей частоте 
составили соответственно 59 % и 6 Вт. 

 
5. Двухкаскадный усилитель X-диапазона с выходной мощностью 17 Вт на элементной базе ФГУП «НПП «Исток» / 
В. А. Пчелин, И. П. Корчагин, В. М. Малыщик, А. В. Галдецкий, Л. В. Манченко, А. А. Капралова // 21-я Международная Крымская конференция «СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии», 12—16 сентября 2011 г., Севастополь, Крым, Украина : КрыМиКо’2011 : материалы 
конф. : в 2 т. — Севастополь, 2011. — Т. 1. — С. 135—136 : 
граф., фото. — Библиогр. в конце ст. (3). — ISBN 978-966335-352-4. 
Разработан двухкаскадный усилитель, обеспечивающий выходную 
мощность не менее 17 Вт в 10 % полосе частот и КПД не менее 
25 %. Все узлы и комплектующие элементы усилителя произведены 
в ФГУП «НПП «Исток». 

 
6. Имитатор допплеровского сдвига частоты / С. В. Плаксин, В. Я. Крысь, Л. М. Погорелая, И. И. Соколовский // 
21-я Международная Крымская конференция «СВЧ-техника 
и телекоммуникационные технологии», 12—16 сентября 
2011 г., Севастополь, Крым, Украина : КрыМиКо’2011 : 
материалы конф. : в 2 т. — Севастополь, 2011. — Т. 1. — 
С. 177—178 : схема. — Библиогр. в конце ст. (11). — 
ISBN 978-966-335-352-4. 
Представлены результаты экспериментального исследования 
имитатора эффекта Доплера в волноводе с использованием модифицированного двойного волноводного T-моста и одного варакторного диода, выступающего в роли динамического фазовращателя и управляемого пилообразным напряжением. 

 
7. Импульсный стабилизатор тока с защитой ЛПД от выгорания / Н. С. Добрянский, П. Я. Кемпа, Г. Г. Масютин // 21-я 
Международная Крымская конференция «СВЧ-техника и 
телекоммуникационные технологии», 12—16 сентября 2011 
г., Севастополь, Крым, Украина : КрыМиКо’2011 : материалы конф. : в 2 т. — Севастополь, 2011. — Т. 1. — С. 187—
188 : схема. — Библиогр. в конце ст. (1). — ISBN 978-966335-352-4. 
Предложен стабилизатор тока для генератора на ЛПД с защитой 
ЛПД от возможного сброса нагрузки. Генератор на ЛПД работает в 5-мм диапазоне длин волн с выходной мощностью более 
50 мВт. Разработана схема измерения выходного сопротивления 
стабилизатора тока в зависимости от частоты. Стабилизатор 
тока обеспечивает ток в нагрузке 70—120 mA, время включения — 
менее 0,1 μксек. 

 
8. Интермодуляционные искажения в усилителях класса E 
на основе GaN и SiC транзисторов / Д. Г. Макаров, 
В. Г. Крыжановский, А. А. Кищинский // 21-я Международная Крымская конференция «СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии», 12—16 сентября 2011 г., Севастополь, Крым, Украина : КрыМиКо’2011 : материалы конф. : в 
2 т. — Севастополь, 2011. — Т. 1. — С. 143—144 : граф. — 
Библиогр. в конце ст. (6). — ISBN 978-966-335-352-4. 
Исследованы интермодуляционные искажения в высокоэффективных нелинейных усилителях СВЧ-мощности класса «E». Теоретически и экспериментально получены данные для усилителя на основе GaAs транзистора CLY5 и для широкополосного усилителя 
мощности класса «E» на основе SiC транзистора CRF24010. 

 
9. Исследование характеристик МШУ X-диапазона с защитой по входу / А. Ю. Ющенко, Г. И. Айзенштат, В. Г. Божков, Е. А. Монастырев, А. И. Иващенко // 21-я Международная Крымская конференция «СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии», 12—16 сентября 2011 г., Севастополь, Крым, Украина : КрыМиКо’2011 : материалы 
конф. : в 2 т. — Севастополь, 2011. — Т. 1. — С. 161—162 : 
фото, граф. — Библиогр. в конце ст. (6). — ISBN 978-966335-352-4. 

В работе представлены результаты по созданию монолитных интегральных схем (МИС) малошумящего усилителя (МШУ) X-диапазона 
на PHEMT-транзитосторах с длиной затвора 0,3 мкм и защитного 
устройства для него на гетероструктурных p-i-n-диодах. 

 
10. Комплект сверхширокополосных МИС коммутаторов на 
основе гетероструктурных pin-диодов / А. Ю. Ющенко, 
Г. И. Айзенштат, Е. А. Монастырев, В. Г. Божков // 21-я 
Международная Крымская конференция «СВЧ-техника и 
телекоммуникационные технологии», 12—16 сентября 2011 
г., Севастополь, Крым, Украина : КрыМиКо’2011 : материалы конф. : в 2 т. — Севастополь, 2011. — Т. 1. — С. 165—
166 : фото, граф. — Библиогр. в конце ст. (4). — ISBN 978966-335-352-4. 
В работе представлены результаты по созданию монолитных 
интегральных схем (МИС) сверхширокополосных коммутаторов на 
основе гетероструктурных p-i-n-диодов. 

 
11. Компоненты систем связи 5-мм диапазона длин волн / 
А. С. Косов, В. А. Зотов, В. С. Рожков // 21-я Международная Крымская конференция «СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии», 12—16 сентября 2011 г., Севастополь, Крым, Украина : КрыМиКо’2011 : материалы конф. : в 
2 т. — Севастополь, 2011. — Т. 1. — С. 175—176 : схема, 
фото, граф. — Библиогр. в конце ст. (2). — ISBN 978-966335-352-4. 
Разработаны принципы построения и технология изготовления 
основных узлов систем связи в 5-мм диапазоне длин волн (60 ГГц). 
Изготовлены и исследованы ключевые компоненты систем связи 
60 ГГц диапазона, такие как: малошумящий усилитель (МШУ), 
усилитель мощности (УМ), преобразователь частоты (СМ), синтезатор опорного сигнала (СИН). Получены следующие параметры разработанных компонент: коэффициент шума МШУ — менее 
4 дБ; выходная мощность РА — 100 мВт; фазовый шум СИН — 
менее – 95 dBc/Hz при отстройке от несущей на 10 kHz. 

 
12. Малошумящий модуль миллиметрового диапазона для 
модуляционного радиометра / И. К. Сундучков // 21-я Международная Крымская конференция «СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии», 12—16 сентября 2011 г., 
Севастополь, Крым, Украина : КрыМиКо’2011 : материалы 
конф. : в 2 т. — Севастополь, 2011. — Т. 1. — С. 185—186 : 
схема, граф. — Библиогр. в конце ст. (1). — ISBN 978-966335-352-4. 
В работе проводятся результаты разработки малошумящего 
усилителя в миллиметровом диапазоне длин волн: принципиальной 
схемы, методики и результатов испытаний. В диапазоне частот 
35,5—37,5 ГГц коэффициент усиления был равен от 60,15 ± 0,45 дБ 
до 56,15 ± 0,55 дБ при изменении температуры окружающей среды 
от 10° C до 50° C соответственно. Эквивалентная шумовая температура на входе модуля в рабочем диапазоне частот составила 
369—380 K. 

 
13. МИС коммутаторов C- и X-диапазонов на основе гетероструктурных pin-диодов / А. Ю. Ющенко, Г. И. Айзенштат, 
Е. А. Монастырев, В. Г. Божков // 21-я Международная 
Крымская конференция «СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии», 12—16 сентября 2011 г., Севастополь, 
Крым, Украина : КрыМиКо’2011 : материалы конф. : в 2 т. 
— Севастополь, 2011. — Т. 1. — С. 169—170 : фото, граф. 
— Библиогр. в конце ст. (4). — ISBN 978-966-335-352-4. 
В работе представлены результаты по созданию монолитных 
интегральных схем (МИС) коммутаторов C- и X-диапазонов частот на основе гетероструктурных p-i-n-диодов. Схемы характеризуются низкими вносимыми потерями (~ 0,7 дБ) и хорошей изоляцией (~ 45 дБ) в рабочих диапазонах частот. 

 
14. МИС ограничителя мощности на основе pin-диодов и 
диодов 
Шоттки 
/ 
А. Ю. Ющенко, 
Г. И. Айзенштат, 
Е. А. Монастырев, В. Г. Божков, А. И. Иващенко // 21-я 
Международная Крымская конференция «СВЧ-техника и 
телекоммуникационные технологии», 12—16 сентября 2011 
г., Севастополь, Крым, Украина : КрыМиКо’2011 : материалы конф. : в 2 т. — Севастополь, 2011. — Т. 1. — С. 163—
164 : фото, граф. — Библиогр. в конце ст. (4). — ISBN 978966-335-352-4. 

Представлены результаты разработки монолитной интегральной 
схемы защитного устройства на основе p-i-n-диодов и диодов 
Шоттки для диапазона частот 1—22 ГГц. Схема характеризуется низкими вносимыми потерями в рабочем диапазоне частот, 
мощностью просачивания не более 11,5 дБм и обладает стойкостью к воздействию непрерывной СВЧ-мощности не менее 37 дБм. 

 
15. Монолитная интегральная схема ограничителя СВЧ 
мощности, управляемого напряжением / А. Ю. Ющенко, 
Г. И. Айзенштат, Е. А. Монастырев, А. В. Акимов // 21-я 
Международная Крымская конференция «СВЧ-техника и 
телекоммуникационные технологии», 12—16 сентября 2011 
г., Севастополь, Крым, Украина : КрыМиКо’2011 : материалы конф. : в 2 т. — Севастополь, 2011. — Т. 1. — С. 167—
168 : схема, фото, граф. — Библиогр. в конце ст. (5). — 
ISBN 978-966-335-352-4. 
Разработана новая монолитная интегральная схема ограничителя 
СВЧ-мощности на p-i-n-диодах, управляемая напряжением. Экспериментально показано, что в предложенной схеме удается понизить уровень просачивающейся мощности до 9 дБм. 

 
16. Монолитный автономный полупроводниковый ограничитель мощности 8-мм диапазона длин волн, предназначенный для работы при входной импульсной мощности до 1 
кВт / А. В. Кириллов, В. А. Смирнов, А. А. Усов // 21-я 
Международная Крымская конференция «СВЧ-техника и 
телекоммуникационные технологии», 12—16 сентября 2011 
г., Севастополь, Крым, Украина : КрыМиКо’2011 : материалы конф. : в 2 т. — Севастополь, 2011. — Т. 1. — С. 200—
201 : схема, граф. — Библиогр. в конце ст. (2). — ISBN 978966-335-352-4. 
Приведены результаты разработки автономного (пассивного) 
ограничителя мощности 8-миллиметрового диапазона длин волн на 
базе монолитных p-i-n-диодных матриц Si и GaAs. Разработанное 
устройство обеспечивает работоспособность при входной импульсной мощности до 1 кВт при величине просачивающейся импульсной мощности не более 0,7 Вт и быстродействии 0,2 мкс. 

 
17. Монолитный СВЧ-отключатель Ka-диапазона с малыми 
потерями 
на 
арсениде галлия 
/ 
С. И. Толстолуцкий, 
А. И. Ли, С. В. Безус // 21-я Международная Крымская конференция «СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии», 12—16 сентября 2011 г., Севастополь, Крым, Украина : КрыМиКо’2011 : материалы конф. : в 2 т. — Севастополь, 2011. — Т. 1. — С. 193—194 : схема, граф. — Библиогр. в конце ст. (6). — ISBN 978-966-335-352-4. 
Проведен анализ путей снижения вносимых потерь твердотельного СВЧ-отключателя Ka-диапазона. Представлены результаты 
разработки монолитной интегральной схемы СВЧ-отключателя 

на арсениде галлия с размерами 2,0 x 1,0 мм
2
. Кристалл обеспечивает значение вносимых потерь на уровне 1 дБ в широкой полосе 
частот от 26,5 до 40 ГГц. 

 
18. Мощные интегральные гетероструктурные полевые 
транзисторы на нитриде галлия / Ю. Н. Раков, Н. В. Мончарес, 
Т. П. Боброва, 
Г. Ф. Узельман, 
Ю. Б. Мякишев, 
Т. К. Бондарева, Ю. Н. Свешников // 21-я Международная 
Крымская конференция «СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии», 12—16 сентября 2011 г., Севастополь, 
Крым, Украина : КрыМиКо’2011 : материалы конф. : в 2 т. — 
Севастополь, 2011. — Т. 1. — С. 151—152 : табл., рис., граф. 
— Библиогр. в конце ст. (5). — ISBN 978-966-335-352-4. 
Разработаны гетероструктуры AlGaN/AlN/GaN, выращенные на 
подложках сапфира, конструкция и технология изготовления интегральных полевых транзисторов (ПТ). ПТ обеспечили удельную 
выходную мощность 7,57 Вт/мм, КПД = 43,5 % и коэффициент 
усиления 5,6 дБ на частоте 12 ГГц. 

 
19. О способах отвода тепла и снижения стоимости GaN ИС 
усилителей 
мощности 
/ 
В. И. Гуляев, 
А. И. Вольхин, 
В. В. Глазунов // 21-я Международная Крымская конференция «СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии», 
12—16 сентября 2011 г., Севастополь, Крым, Украина : 
КрыМиКо’2011 : материалы конф. : в 2 т. — Севастополь, 
2011. — Т. 1. — С. 153—154 : граф., рис., фото. — Библиогр. в конце ст. (1). — ISBN 978-966-335-352-4. 

Приводится анализ конструкторско-технологических путей снижения стоимости GaN ИС усилителей мощности. Приведена GaN 
квазимонолитная ИС, выполненная на CVD-алмазе. 

 
20. Оптимизация структурной схемы усилителя мощности 
X-диапазона / В. Б. Трегубов, В. А. Пчелин, Л. В. Манченко 
// 21-я Международная Крымская конференция «СВЧтехника и телекоммуникационные технологии», 12—16 
сентября 2011 г., Севастополь, Крым, Украина : КрыМиКо’2011 : материалы конф. : в 2 т. — Севастополь, 2011. — 
Т. 1. — С. 137—138 : граф., фото. — Библиогр. в конце ст. 
(2). — ISBN 978-966-335-352-4. 
Разработан усилитель мощности X-диапазона с выходной мощностью более 13 Вт и КПД не менее 25 % на трех кристаллах с различной длиной затвора. Все компоненты усилителя произведены в 
ФГУП «НПП «Исток». 

 
21. Планарные приемные модули АФАР X-диапазона на базе 
технологии LTCC-керамики / Е. А. Монастырев, С. Л. Кеврух, 
В. А. Молошников, 
П. Е. Денисов, 
А. В. Акимов, 
А. А. Пономарев // 21-я Международная Крымская конференция «СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии», 12—16 сентября 2011 г., Севастополь, Крым, Украина : 
КрыМиКо’2011 : материалы конф. : в 2 т. — Севастополь, 
2011. — Т. 1. — С. 195—197 : схема, фото, табл., рис. — 
Библиогр. в конце ст. (3). — ISBN 978-966-335-352-4. 
В докладе рассматриваются технические решения и результаты 
разработки высокоинтегрированных планарных многоканальных 
кластерных приемных модулей АФАР X-диапазона, изготовленных 
с использованием технологии LTCC-керамики, внедренной на предприятии. 

 
22. Применение модифицированного режима работы арсенидогаллиевых диодов Ганна в генераторах мм-диапазона 
35—47 ГГц / Н. А. Торхов, В. Г. Божков, В. П. Перфильев, 
С. Е. Золотов, И. В. Петров // 21-я Международная Крымская конференция «СВЧ-техника и телекоммуникационные 
технологии», 12—16 сентября 2011 г., Севастополь, Крым, 
Украина : КрыМиКо’2011 : материалы конф. : в 2 т. — Севастополь, 2011. — Т. 1. — С. 171—172 : фото, граф. — 
Библиогр. в конце ст. (2). — ISBN 978-966-335-352-4. 
Импеданс и температурный режим работы диодов Ганна (ДГ) в 
модифицированном режиме (МР) аналогичен импедансу и температурному режиму ДГ, работающих в пролетном режиме. МР 
может быть реализован в ДГ с тонкой | < 1,5 мкм базой, когда 
размер домена сильного поля соизмерим или превышает протяженность базы. Расширенный частотный диапазон и большой 
КПД ДГ, работающих в МР, позволил их эффективно использовать 
в следующем ряде генераторов (ГДГ): выходная частота (Fвых) 

35 ГГц (с перестройкой 1 ГГц) с уровнем выходной мощности 
Pвых > 120 мВт, Iраб = 0,5—0,55 А, и Uраб = 4,5—5 В ГДГ; 
Fвых = 37 ГГц с Pвых > 140 мВт, Iраб < 0,7 А и Uраб < 6 В и 
Fвых = 47 ГГц 
с 
Pвых > 100 мВт, 
Iраб = 
0,5—0,55 А 
и 
Uраб = 4,5—5 В. 

 
23. Разработка БИС фазовращателя для модулей АФАР / 
И. В. Малышев, И. И. Мухин, В. В. Репин, А. С. Шнитников 
// 21-я Международная Крымская конференция «СВЧтехника и телекоммуникационные технологии», 12—16 
сентября 2011 г., Севастополь, Крым, Украина : КрыМиКо’2011 : материалы конф. : в 2 т. — Севастополь, 2011. — 
Т. 1. — С. 149—150 : схема, граф., табл. — Библиогр. в 
конце ст. (3). — ISBN 978-966-335-352-4. 
Рассмотрены методика проектирования, результаты моделирования 
и измерения параметров активного дискретного фазовращателя. 

 
24. Сверхширокополосный транзисторный усилитель диапазона 
6—18 ГГц 
с 
выходной 
мощностью 
6 Вт 
/ 
А. В. Радченко // 21-я Международная Крымская конференция «СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии», 
12—16 сентября 2011 г., Севастополь, Крым, Украина : 
КрыМиКо’2011 : материалы конф. : в 2 т. — Севастополь, 
2011. — Т. 1. — С. 131—132 : фото, схема, граф. — Библиогр. в конце ст. (3). — ISBN 978-966-335-352-4. 

В докладе изложены результаты разработки и экспериментального исследования сверхширокополосного транзисторного усилителя 
диапазона 6—18 ГГц с выходной мощностью в непрерывном режиме более 6 Вт. Приведены экспериментальные характеристики 
изготовленных образцов усилителей с различными транзисторами, 
рассматриваются особенности их построения, конструкция и 
технология сборки. 

 
25. Сверхширокополосный усилитель диапазона частот 4—
12 ГГц с выходной мощностью 15 Вт / С. В. Гармаш // 21-я 
Международная Крымская конференция «СВЧ-техника и 
телекоммуникационные технологии», 12—16 сентября 2011 
г., Севастополь, Крым, Украина : КрыМиКо’2011 : материалы конф. : в 2 т. — Севастополь, 2011. — Т. 1. — С. 133—
134 : граф., схема, фото. — Библиогр. в конце ст. (3). — 
ISBN 978-966-335-352-4. 
В докладе изложены результаты разработки усилителя мощности 
диапазона частот (4—12) ГГц с выходной мощностью в непрерывном режиме (13—18) Вт, предназначенного для использования в 
составе передающих модулей АФАР. Приведены экспериментальные характеристики образцов усилителей, обсуждаются особенности построения, конструкции и технологии сборки. 

 
26. Синхронизация антенн-генераторов внешним СВЧ облучением / В. Е. Любченко, Е. О. Юневич, В. Д. Котов, В. И. Калинин // 21-я Международная Крымская конференция «СВЧтехника и телекоммуникационные технологии», 12—16 сентября 2011 г., Севастополь, Крым, Украина : КрыМиКо’2011 : 
материалы конф. : в 2 т. — Севастополь, 2011. — Т. 1. — 
С. 179—180 : граф. — Библиогр. в конце ст. (2). — ISBN 978966-335-352-4. 
Экспериментально исследована возможность синхронизации внешним сигналом СВЧ-генераторов, представляющих собой антенны 
логопериодического типа на диэлектрической подложке с полевыми 
транзисторами в качестве активных элементов. Показана возможность синхронизации автогенераторов с собственной частотой 10 ГГц в полосе до 100 МГц, а также существенного улучшения 
спектральных характеристик сигнала и увеличения эффективности генерации за счет взаимодействия с синхросигналом. 

 
27. Спектральные характеристики субгармонического смесителя радиосигналов на основе резонансно-туннельного 
диода / Ю. А. Иванов, С. А. Мешков, И. А. Федоренко, 
Н. В. Федоркова, В. Д. Шашурин // 21-я Международная 
Крымская конференция «СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии», 12—16 сентября 2011 г., Севастополь, 
Крым, Украина : КрыМиКо’2011 : материалы конф. : в 2 т. 
— Севастополь, 2011. — Т. 1. — С. 181—182. — Библиогр. 
в конце ст. (6). — ISBN 978-966-335-352-4. 
Исследуются спектральные характеристики субгармонического 
смесителя радиосигналов на основе резонансно-туннельного диода. 
При одинаковом режиме работы и величине потерь преобразования мощность высших гармоник и комбинационных составляющих 
в спектре выходного сигнала смесителя на базе резонанснотуннельного диода (РТД) на 20—80 дБ меньше, чем у такого же 
смесителя на диоде Шоттки (ДБШ). Показано, что применение 
РТД позволяет снизить преобразованные шумы и шумы самого 
диода по сравнению с традиционными ДБШ. Применение РТД в 
субгармоническом смесителе позволяет расширить динамический 
диапазон смесителя. 

 
28. Сравнение детектирующей способности Si и GaAs диодов Шоттки / И. Б. Варлашов, А. С. Шнитников, Н. Б. Гудкова // 21-я Международная Крымская конференция «СВЧтехника и телекоммуникационные технологии», 12—16 
сентября 2011 г., Севастополь, Крым, Украина : КрыМиКо’2011 : материалы конф. : в 2 т. — Севастополь, 2011. — 
Т. 1. — С. 189—190 : табл., граф. — Библиогр. в конце ст. 
(2). — ISBN 978-966-335-352-4. 
Проведен сравнительный анализ характеристик Si и GaAs детекторных диодов СВЧ-диапазона. 

 
29. Твердотельный малошумящий приемно-усилительный 
модуль 8-мм диапазона с защитой по входу от синхронных 
и несинхронных сигналов мощностью до 1 кВт в импульсе / 
А. В. Кириллов, В. А. Смирнов, А. А. Усов, Р. Г. Шифман // 
21-я Международная Крымская конференция «СВЧ-техника 

и телекоммуникационные технологии», 12—16 сентября 
2011 г., Севастополь, Крым, Украина : КрыМиКо’2011 : 
материалы конф. : в 2 т. — Севастополь, 2011. — Т. 1. — 
С. 198-199 : фото, граф., табл. — Библиогр. в конце ст. (1). 
— ISBN 978-966-335-352-4. 
Приведены результаты разработки твердотельного малошумящего приемно-усилительного модуля (ПУМ) 8-мм диапазона с защитой по входу от синхронных и несинхронных сигналов мощностью 
до 1 кВт в импульсе. Рабочая полоса модуля — 6 %, коэффициент 
усиления 18 дБ при неравномерности в рабочей полосе ± 0,5 дБ, 
коэффициент шума — 4,6 дБ, быстродействие — 0,2 мкс. 
 
30. Твердотельный широкополосный смеситель на арсениде 
галлия / А. И. Ли, С. И. Толстолуцкий, В. В. Казачков, 
А. В. Толстолуцкая // 21-я Международная Крымская конференция «СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии», 12—16 сентября 2011 г., Севастополь, Крым, Украина : КрыМиКо’2011 : материалы конф. : в 2 т. — Севастополь, 2011. — Т. 1. — С. 191—192 : схема, граф. — Библиогр. в конце ст. (5). — ISBN 978-966-335-352-4. 
Представлены результаты разработки монолитной интегральной 
схемы широкополосного смесителя с подавлением зеркальной частоты. Смеситель изготовлен на кристалле арсенида галлия раз
мером 1,5 × 1,2 мм
2
 и обеспечивает потери преобразования на 
уровне 8,2—10 дБ и подавление сигнала по зеркальному каналу на 
уровне 30 дБ в широкой полосе частот 3—7 ГГц. 

 
31. Усилитель C-диапазона на GaN КМИС с выходной мощностью 25 Вт / В. И. Гуляев, В. В. Глазунов // 21-я Международная Крымская конференция «СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии», 12—16 сентября 2011 г., Севастополь, Крым, Украина : КрыМиКо’2011 : материалы 
конф. : в 2 т. — Севастополь, 2011. — Т. 1. — С. 129—130 : 
фото, схема, граф. — Библиогр. в конце ст. (2). — 
ISBN 978-966-335-352-4. 
В докладе изложены результаты разработки GaN квазимонолитной ИС (КМИС) усилителя мощности C-диапазона и бескорпусного 
гибридно-интегрального модуля усилителя с выходной мощностью 
25 Вт на ее основе. Приведена конструкций КМИС и модуля усилителя, представлены экспериментальные результаты. 

 
32. Усилитель X-диапазона на GaN КМИС с выходной 
мощностью 
20 Вт 
/ 
В. И. Гуляев, 
В. В. Глазунов, 
Г. С. Зыкова, Ю. Б. Мякишев // 21-я Международная Крымская конференция «СВЧ-техника и телекоммуникационные 
технологии», 12—16 сентября 2011 г., Севастополь, Крым, 
Украина : КрыМиКо’2011 : материалы конф. : в 2 т. — Севастополь, 2011. — Т. 1. — С. 127—128 : фото, схема, граф. 
— Библиогр. в конце ст. (2). — ISBN 978-966-335-352-4. 
В докладе изложены результаты разработки GaN квазимонолитных ИС (КМИС) предварительного и выходного усилителей Xдиапазона и бескорпусного гибридно-интегрального модуля усилителя с выходной мощностью 20 Вт на их основе. Приведены конструкции и характеристики КМИС и усилителя. 

 
33. AlGaN/GaN PHEMT транзисторы на карбиде кремния / 
Н. Е. Антонова, В. Е. Земляков, А. В. Крутов, А. С. Ребров // 
21-я Международная Крымская конференция «СВЧ-техника 
и телекоммуникационные технологии», 12—16 сентября 
2011 г., Севастополь, Крым, Украина : КрыМиКо’2011 : 
материалы конф. : в 2 т. — Севастополь, 2011. — Т. 1. — 
С. 155—156 : табл., граф., фото. — Библиогр. в конце ст. 
(5). — ISBN 978-966-335-352-4. 
Представлены результаты разработки и экспериментального 
исследования GaN PHEMT-транзисторов на подложках из SiC. 
Приведены измеренные статические и СВЧ-параметры. 

 
34. GaAs pHEMT МИС малошумящего усилителя X-диапазона / В. С. Арыков, А. А. Баров, Л. Э. Великовский, 
А. В. Кондратенко // 21-я Международная Крымская конференция «СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии», 12—16 сентября 2011 г., Севастополь, Крым, Украина : КрыМиКо’2011 : материалы конф. : в 2 т. — Севастополь, 2011. — Т. 1. — С. 159—160 : схема, фото, граф. — 
Библиогр. в конце ст. (2). — ISBN 978-966-335-352-4. 

В докладе представлены результаты разработки МИС малошумящего усилителя на основе GaAs pHEMT-технологии. Полоса 
рабочих частот 8—12 ГГц, коэффициент усиления 30 дБ, коэффициент шума 1,5 дБ, выходная мощность по сжатию на 1 дБ не 
менее + 10 дБм, однополярное питание + 5 В, ток потребления 
100 мА. Размеры кристалла 2,5 × 1,5 × 0,1 мм. 

 
35. Research of influence of supply mode of double-drift 
avalanche diodes on Q-factor of 3-mm band noise oscillator / 
P. P. Loshitski, A. V. Pavlyuchenko // 21-я Международная 
Крымская конференция «СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии», 12—16 сентября 2011 г., Севастополь, 
Крым, Украина : КрыМиКо’2011 : материалы конф. : в 2 т. 
— Севастополь, 2011. — Т. 1. — С. 183—184 : граф. — 
Библиогр. в конце ст. (5). — ISBN 978-966-335-352-4. 
Проведены исследования двухпролетных лавинно-пролетных диодов, 
являющихся активными элементами при построении широкополосных генераторов шума 3-мм диапазона. Показано влияние параметров питания диодов на коэффициент качества генераторов шума. 
 
1 — 2012 
 
36. Влияние ширины канала сток — исток на предельные частоты FT и FMAX AIGaN/GaN HEMT / Н. А. Торхов, В. Г. Божков // 22-я Международная Крымская конференция «СВЧтехника и телекоммуникационные технологии», 10—14 сентября 2012 г., Севастополь, Крым, Украина : КрыМиКо’2012 : 
материалы конф. : в 2 т. — Севастополь, 2012. — Т. 1. — 
С. 76—77 : рис. — Библиогр. в конце ст. (7). — ISBN 978-966335-371-5. 
Показано, что увеличение полной ширины W канала C — И 
AI
30Ga
70N/GaN HEMT за счет увеличения количества секций n при
водит к уменьшению G
max(F) и H
21(F) и, как следствие, к уменьше
нию значений предельных частот усиления по току Ft и по мощности F
max. Уменьшение Ft и F
max с ростом n связано с увеличением 

влияния внешних паразитных параметров AI
30Ga
70N/GaN HEMT. 

Полученные результаты позволяют предположить, что увеличение значений Ft и F
max при увеличении W за счет увеличения W
n про
ходит за счет фрактальных свойств канала С — И. 

 
37. Вопросы схемотехнического проектирования интегральных балунов / И. И. Мухин, В. В. Репин, В. В. Елесин, 
Г. Н. Назарова, А. С. Шнитников // 22-я Международная 
Крымская конференция «СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии», 10—14 сентября 2012 г., Севастополь, 
Крым, Украина : КрыМиКо’2012 : материалы конф. : в 2 т. 
— Севастополь, 2012. — Т. 1. — С. 95—96 : рис. — Библиогр. в конце ст. (2). — ISBN 978-966-335-371-5. 
Рассматриваются варианты построения и характеристики интегральных схем СВЧ-фазорасщепителей (балунов), выполненных по 
кремний-германиевой технологии. 

 
38. Генерация мощных СВЧ колебаний напряжения в диффузионном кремниевом диоде / С. К. Любутин, С. Н. Рукин, 
Б. Г. Словиковский, С. Н. Цыранов // 22-я Международная 
Крымская конференция «СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии», 10—14 сентября 2012 г., Севастополь, 
Крым, Украина : КрыМиКо’2012 : материалы конф. : в 2 т. 
— Севастополь, 2012. — Т. 1. — С. 120—121 : рис. — Библиогр. в конце ст. (3). — ISBN 978-966-335-371-5. 
Исследован механизм генерации мощных СВЧ-колебаний напряжения в диффузионном кремниевом диоде. Через диод с толщиной 
структуры 320 мкм, глубиной залегания p-n перехода 220 мкм и 

площадью 0,5 см
2
 пропускался обратный ток амплитудой 2 кА. 
При среднем напряжении на диоде около 300 В и длительности 
СВЧ-импульса ~ 200 нс максимальный размах наблюдаемых колебаний достигает 480 В. Частота колебаний находится в диапазоне от 5 до 7 ГГц, мощность СВЧ-компоненты импульса составляет ≈ 300 кВт при КПД ~ 50 %. Механизм генерации колебаний 
рассмотрен теоретически. Показано, что запуск процесса колебаний напряжения, их размах и частота определяются плотностью 
обратного тока. 

 
39. Двухкаскадный квазимонолитный усилитель мощности 
диапазона 8—18 ГГц на нитриде галлия / В. В. Глазунов, 

Г. С. Зыкова, Ю. Б. Мякишев, Ю. Н. Раков, Н. В. Мончарес, 
В. Г. Будаков // 22-я Международная Крымская конференция «СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии», 
10—14 сентября 2012 г., Севастополь, Крым, Украина : 
КрыМиКо’2012 : материалы конф. : в 2 т. — Севастополь, 
2012. — Т. 1. — С. 70—71 : рис. — Библиогр. в конце ст. 
(3). — ISBN 978-966-335-371-5. 
В докладе приводятся результаты создания экспериментальных 
образцов квазимонолитной ИС (КМИС) на нитриде галлия двухкаскадного усилителя диапазона частот 8—18 ГГц с выходной мощностью до 1,5 Вт при коэффициенте усиления 12—16 дБ. 

 
40. Квазиоптическое сложение мощностей излучения матриц антенн-генераторов / В. Е. Любченко, Е. О. Юневич, 
В. Д. Котов, В. И. Калинин, Д. Е. Радченко, С. А. Телегин // 
22-я Международная Крымская конференция «СВЧ-техника 
и телекоммуникационные технологии», 10—14 сентября 
2012 г., Севастополь, Крым, Украина : КрыМиКо’2012 : 
материалы конф. : в 2 т. — Севастополь, 2012. — Т. 1. — 
С. 116—117 : рис. — Библиогр. в конце ст. (4). — ISBN 978966-335-371-5. 
Экспериментально исследована взаимная синхронизация колебаний 
в линейной и двумерной матрицах антенн логопедиодического типа 
на диэлектрической подложке с полевыми транзисторами в качестве активных элементов. Для расширения полосы синхронизации 
матрицы используется диэлектрическое полупрозрачное зеркало. 
Показана возможность эффективного сложения мощностей в 
пространстве в случае двумерной матрицы. 

 
41. МИС двойного балансного смесителя для K-, KAдиапазонов частот на основе диодов Шоттки вертикальной 
конструкции / А. Ю. Ющенко, Г. И. Айзенштат, В. Г. Божков, А. И. Иващенко // 22-я Международная Крымская конференция «СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии», 10—14 сентября 2012 г., Севастополь, Крым, Украина : КрыМиКо’2012 : материалы конф. : в 2 т. — Севастополь, 2012. — Т. 1. — С. 93—94 : рис. — Библиогр. в конце 
ст. (7). — ISBN 978-966-335-371-5. 
В работе представлены результаты разработки МИС сверхширокополосных двойных балансных смесителей на основе диодов 
Шоттки вертикальной конструкции, не имеющих прямых аналогов 
в России. 

 
42. МИС мощного переключателя прием — передача с защитой приемного канала для X-диапазона частот на основе 
pin-диодов / А. Ю. Ющенко, Г. И. Айзенштат, Е. А. Монастырев, В. Г. Божков, А. И. Иващенко // 22-я Международная Крымская конференция «СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии», 10—14 сентября 2012 г., Севастополь, Крым, Украина : КрыМиКо’2012 : материалы конф. : в 
2 т. — Севастополь, 2012. — Т. 1. — С. 89—90 : рис. — 
Библиогр. в конце ст. (4). — ISBN 978-966-335-371-5. 
В работе представлены результаты разработки МИС мощного 
переключателя прием — передача с защитой приемного канала 
для X-диапазона частот на основе p-i-n-диодов. 

 
43. Монолитная интегральная схема СВЧ-усилителя на арсениде 
галлия 
диапазона 
2,0—6,0 ГГц 
/ 
С. В. Безус, 
С. И. Толстолуцкий, А. В. Толстолуцкая // 22-я Международная Крымская конференция «СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии», 10—14 сентября 2012 г., Севастополь, Крым, Украина : КрыМиКо’2012 : материалы 
конф. : в 2 т. — Севастополь, 2012. — Т. 1. — С. 87—88 : 
рис. — Библиогр. в конце ст. (5). — ISBN 978-966-335-371-5. 
Представлены результаты разработки монолитной интегральной 
схемы двухкаскадного СВЧ-усилителя, выполненной на pHEMT
структуре арсенида галлия размером (2,4 × 1,6) мм
2
 и обеспечивающей коэффициент усиления 16,5 дБ и точку однодецибельной 
компрессии 15 дБм в полосе частот (2,0…6,0) ГГц. 

 
44. Мощные СВЧ-колебания напряжения в полупроводниковом диоде при протекании тока высокой плотности / 
С. Н. Цыранов // 22-я Международная Крымская конференция «СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии», 
10—14 сентября 2012 г., Севастополь, Крым, Украина : 

КрыМиКо’2012 : материалы конф. : в 2 т. — Севастополь, 
2012. — Т. 1. — С. 122—123 : рис. — Библиогр. в конце ст. 
(4). — ISBN 978-966-335-371-5. 
Численными методами исследована работа диффузионного кремниевого диода p+-p-n+ типа. Через диод с толщиной структуры 
320 мкм, глубиной залегания p-n-перехода 220 мкм и площадью 
0,5 см2 пропускался обратный ток плотностью до 50 кА/см2. Показано, что при плотности тока, лежащей в диапазоне от 3 до 
20 кА/см2, в структуре диода реализуется режим незатухающих 
колебаний напряжения. За пределами диапазона в структуре устанавливается режим стационарного пробоя. Наиболее мощные 
колебания возникают при протекании через диод тока плотностью ~ 15 кА/см2. В расчете на один диод мощность колебаний 
достигает ~ 1 мВт при частоте ~ 10 ГГц и КПД ~ 30 %. Проведено сравнение с экспериментом. 

 
45. Необходимые гибридные приемники прямого детектирования миллиметрового диапазона на основе болометров 
на горячих электронах и диодов Шоттки / Ф. Сизов, 
В. Петряков, В. Забудский, Д. Красильников, М. Смолий, 
С. Дворецкий // 22-я Международная Крымская конференция «СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии», 
10—14 сентября 2012 г., Севастополь, Крым, Украина : 
КрыМиКо’2012 : материалы конф. : в 2 т. — Севастополь, 
2012. — Т. 1. — С. 110—111 : рис., таблицы. — Библиогр. в 
конце ст. (3). — ISBN 978-966-335-371-5. 
Созданы неохлаждаемые болометры на горячих электронах (БГЭ) 
на основе эпитаксиального слоя узкозонного полупроводника КРТ, 
выращенного на подложке из материала GaAs. БГЭ гибридизированые с антеннами, напыленными на подложке с низкой диэлектрической проницаемостью, рассматриваются как приемники прямого 
детектирования излучения с частотой 128—144 ГГц. Мощность, 
эквивалентная шуму (NEP) такого детектора в рассматриваемой 

полосе частот, достигает NEP
300K ≈ 2,6 × 10
10
 Вт/Гц½ (с расчет
ным значением коэффициента усиления антенны G ≈ 9 dBi). Для 
сравнения при тех же условиях проведены измерения NEP приемников на основе диодов Шоттки. 

 
46. О возможности работы диодов Ганна в качестве генератора шума / Н. А. Торхов, В. Г. Божков, В. И. Самойлов, 
А. В. Козлова // 22-я Международная Крымская конференция «СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии», 
10—14 сентября 2012 г., Севастополь, Крым, Украина : 
КрыМиКо’2012 : материалы конф. : в 2 т. — Севастополь, 
2012. — Т. 1. — С. 112—113 : рис. — Библиогр. в конце ст. 
(2). — ISBN 978-966-335-371-5. 
Показано, что использование однородных профилей легирования 
базы ДГ не позволяет реализовать зарождение домена сильного поля. 
Вместо домена в этом случае реализуется отрицательно заряженный аккумуляционный слой, распространяющийся от катода к аноду, 
и избыток электронов в прианодной области сильного поля. Спонтанное возбуждение и релаксация электронов в этой области вероятно и приводит к возникновению белого шума в достаточно широкой полосе часто. Показано, что для реализации классического домена сильного поля необходимо наличие неоднородной базы. 

 
47. Особенности температурной зависимости ρc(T) в омических контактах к n-GaN (n-AIN) с высокой плотностью дислокаций / А. В. Саченко, А. Е. Беляев, Н. С. Болтовец, Ю. В. Жиляев, 
Р. В. Конакова, 
Я. Я. Кудрик, 
В. Н. Пантелеев, 
В. Н. Шеремет // 22-я Международная Крымская конференция «СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии», 
10—14 сентября 2012 г., Севастополь, Крым, Украина : КрыМиКо’2012 : материалы конф. : в 2 т. — Севастополь, 2012. — 
Т. 1. — С. 97—98 : рис. — Библиогр. в конце ст. (7). — 
ISBN 978-966-335-371-5. 
Исследованы температурные зависимости удельного сопротивления ρ
c(T) омических контактов Pd-Ti-Pd-Au к широкозонным полу
проводникам n-GaN и n-AIN с высокой плотностью дислокаций. На 
зависимостях ρ
c(T) для обеих контактных систем наблюдаются 

участки экспоненциального спада ρ
c(T), а также участки весьма 

слабой зависимости ρ
c(T) при более высоких температурах. Кроме 

того, в низкотемпературной области для контактов Au-Pd-Ti-Pd-nGaN наблюдается участок насыщения ρ
c(T). Полученные зависимо

сти не объясняются существующими механизмами токопереноса. 
Предложены вероятные механизмы объяснения экспериментальных 
зависимостей ρ
c(T) для омических контактов к n-GaN и n-AIN. 

 
48. Пассивные МИС для создания СВЧ усилителей мощности 
на основе дискретных GaN-транзисторов / А. Ю. Ющенко, 
Г. И. Айзенштат, Е. А. Монастырев, В. Г. Божков, А. И. Иващенко // 22-я Международная Крымская конференция «СВЧтехника и телекоммуникационные технологии», 10—14 сентября 2012 г., Севастополь, Крым, Украина : КрыМиКо’2012 : 
материалы конф. : в 2 т. — Севастополь, 2012. — Т. 1. — 
С. 74—75 : рис. — Библиогр. в конце ст. (4). — ISBN 978-966335-371-5. 
В работе представлены результаты по созданию суммирующих/корректирующих/согласующих цепей для СВЧ-усилителей 
мощности, выполненных в виде монолитных интегральных схем 
(МИС) на основе арсенида галлия. 

 
49. Подавление каналов паразитной проводимости и рост 
мощности гетероструктурных полевых транзисторов / 
В. М. Лукашин, 
А. Б. Пашковский, 
К. С. Журавлев, 
А. И. Торопов, В. Г. Лапин // 22-я Международная Крымская конференция «СВЧ-техника и телекоммуникационные 
технологии», 10—14 сентября 2012 г., Севастополь, Крым, 
Украина : КрыМиКо’2012 : материалы конф. : в 2 т. — Севастополь, 2012. — Т. 1. — С. 78—79 : рис., таблицы. — 
Библиогр. в конце ст. (10). — ISBN 978-966-335-371-5. 
Представлены первые результаты разработки мощных полевых 
транзисторов на гетероструктурах на основе арсенида галлия с 
оптимизированной квантовой ямой и дополнительными потенциальными барьерами. Транзисторы при длине затвора (0,4…0,5) мкм и 
общей ширине затвора транзистора 0,8 мм на частое 10 ГГц имеют 
коэффициент усиления более 8 дБ, удельную выходную мощность 
более 1,4 Вт/мм, КПД по добавленной мощности до 50 %. 

 
50. Полупроводниковый генератор импульсного действия с 
электронным переключением частоты миллиметрового диапазона / Н. Ф. Карушкин, В. П. Дворниченко, В. В. Малышко, В. А. Ореховский, А. В. Цвир // 22-я Международная 
Крымская конференция «СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии», 10—14 сентября 2012 г., Севастополь, 
Крым, Украина : КрыМиКо’2012 : материалы конф. : в 2 т. 
— Севастополь, 2012. — Т. 1. — С. 103—105 : рис. — Библиогр. в конце ст. (3). — ISBN 978-966-335-371-5. 
Приводятся результаты разработки генераторов импульсного 
действия с электронным переключением частоты от импульса к 
импульсу. В качестве задающего высокостабильного источника 
СВЧ-импульсов применен малогабаритный синтезатор частоты 
8-миллиметрового диапазона длин волн, формирующей импульсы 
заданной длительности с амплитудой 1—1,2 Вт. Синхронизованный усилитель выполнен на ЛПД и обеспечивает мощность на 
выходе генератора до 20 Вт при длительности импульсов СВЧ 
100—300 нс в рабочей полосе ~ 10 %. 

 
51. Проектирование лавинно-пролетных диодов миллиметрового диапазона в импульсном режиме работы с концентрической кольцевой геометрией активной структуры / 
А. С. Ташилов, А. А. Дышеков, Ю. П. Хапачев, А. Н. Багов 
// 22-я Международная Крымская конференция «СВЧтехника и телекоммуникационные технологии», 10—14 
сентября 2012 г., Севастополь, Крым, Украина : КрыМиКо’2012 : материалы конф. : в 2 т. — Севастополь, 2012. — 
Т. 1. — С. 114—115 : рис. — Библиогр. в конце ст. (7). — 
ISBN 978-966-335-371-5. 
Для импульсных лавинно-пролетных диодов (ЛПД) миллиметрового 
диапазона предложена новая конфигурация активных структур в 
виде массива мезаструктур концентрических колец. Выполнена 
численная оценка импульсного теплового сопротивления ЛПД 8-мм 
диапазона, основанная на таких массивах шириной 4 мкм при длительности импульса питания τ = 100 и 300 нс. Рассмотрена возможность значительного сокращения предложенной конфигурации активной структуры по сравнению со стандартной мезастуктурой с равной областью p-n-перехода. 

 
52. Пространственное сложение мощностей излучения в 
матрице антенн-генераторов / В. Е. Любченко, Е. О. Юневич, В. Д. Котов, В. И. Калинин, С. А. Телегин // 22-я Меж
дународная Крымская конференция «СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии», 10—14 сентября 2012 г., 
Севастополь, Крым, Украина : КрыМиКо’2012 : материалы 
конф. : в 2 т. — Севастополь, 2012. — Т. 1. — С. 118—119 : 
рис. — Библиогр. в конце ст. (2). — ISBN 978-966-335-371-5. 
Экспериментально исследована взаимная и внешняя синхронизация 
колебаний в линейной матрице антенн логопериодического типа на 
диэлектрической подложке с полевыми транзисторами в качестве 
активных элементов. Показана возможность эффективного сложения мощностей в пространстве. 

 
53. Разработка гетеродинной цепи для приемо-передатчика 
в диапазоне 126—134 ГГц / С. Е. Кузьмин, Т. Н. Нарытник, 
В. Н. Радзиховский // 22-я Международная Крымская конференция «СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии», 10—14 сентября 2012 г., Севастополь, Крым, Украина : КрыМиКо’2012 : материалы конф. : в 2 т. — Севастополь, 2012. — Т. 1. — С. 106—107 : рис. — Библиогр. в 
конце ст. (1). — ISBN 978-966-335-371-5. 
Приведены результаты разработки выходной части гетеродинной 
цепи, содержащей умножительные и усилительные каскады с элементами селекции, а также разветвитель сигнала на приемный и 
передающий тракты приемо-передатчика. Уровни мощностей 
сигналов гетеродина, подаваемых на смеситель приемника и преобразователь передатчика, составляли не менее 20 мВт. Для миниатюризации и повышения надежности цепи разработка проведена с 
максимальным использованием монолитных интегральных схем. 

 
54. Режим отрицательного дифференциального сопротивления выпрямляющих контактов металл — полупроводник / 
Н. А. Торхов // 22-я Международная Крымская конференция «СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии», 
10—14 сентября 2012 г., Севастополь, Крым, Украина : 
КрыМиКо’2012 : материалы конф. : в 2 т. — Севастополь, 
2012. — Т. 1. — С. 99—100 : рис. — Библиогр. в конце ст. 
(2). — ISBN 978-966-335-371-5. 
Показано, что в области прямых токов при Uf > qφ
b на статиче
ской BAX выпрямляющих контактов металл — полупроводник 
существует участок отрицательного дифференциального сопротивления (ОДС). Теоретические расчеты показали, что ОДС на 
прямой ветви BAX обусловлено влиянием потенциальной ступеньки 
глубиной > qφ
b на перенос баллистических электронов через тон
кую (~ 0,1 мкм) базу диода. Расчет временных характеристик 
(времени прохождения ττ(Е) и отражения τ
R(Е) процесса переноса 

электронов через тонкую базу диода позволил оценить частотный 
диапазон излучаемой мощности < 1 ТГц. 

 
55. Унифицированный СВЧ генератор для систем ближней 
радиолокации / В. П. Пушкарев, А. А. Титов, В. И. Юрченко, Д. В. Бахарева, В. А. Кочумеев, Е. В. Пушкарева, 
И. В. Шухлов // 22-я Международная Крымская конференция «СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии», 
10—14 сентября 2012 г., Севастополь, Крым, Украина : 
КрыМиКо’2012 : материалы конф. : в 2 т. — Севастополь, 
2012. — Т. 1. — С. 108—109 : рис. — Библиогр. в конце ст. 
(4). — ISBN 978-966-335-371-5. 
Приведено описание СВЧ-генератора, состоящего из возбудителя 
и резонаторной камеры с установленным в нее диодом Ганна 
ЗА762Г либо ЗА750Г. Схемотехнические решения системы стабилизации напряжения возбуждения диода Ганна (ДГ) позволили 
минимизировать влияние изменения дестабилизирующих факторов 
на характеристики генератора. 

 
56. Управляющие МИС на арсениде галлия для диапазона 
30—40 ГГц / А. И. Ли, Д. А. Трухов, П. А. Повороженко, 
С. И. Толстолуцкий // 22-я Международная Крымская конференция «СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии», 10—14 сентября 2012 г., Севастополь, Крым, Украина : КрыМиКо’2012 : материалы конф. : в 2 т. — Севастополь, 2012. — Т. 1. — С. 85—86 : рис. — Библиогр. в конце 
ст. (8). — ISBN 978-966-335-371-5. 
Разработаны и изготовлены МИС двухканальных переключателей 
и шестиразрядных аттенюаторов по технологии MESFET с проектной нормой 0,8 мкм для диапазона частот (30…40) ГГц.