Данная публикация изъята из фонда.
Синтез, свойства и применение диэлектриков с высокой диэлектрической проницаемостью в кремниевых приборах
Покупка
Основная коллекция
Тематика:
Физика твердого тела. Кристаллография
Издательство:
Сибирское отделение РАН
Автор:
Гриценко В. А.
Ответственный редактор:
Асеев А. Л.
Год издания: 2011
Кол-во страниц: 158
Дополнительно
Вид издания:
Монография
Уровень образования:
ВО - Магистратура
ISBN: 978-5-7692-1183-6
Артикул: 668987.01.99
Монография посвящена синтезу, атомной, электронной структуре, механизмам переноса заряда и применению диэлектриков с высокой диэлектрической проницаемостью в
кремниевых приборах флэш-памяти. Рассматриваются наиболее важные и перспективные
диэлектрики Al2O3, HfO2, Ta2O5, ZrO2, TiO2, твердые растворы (HfO2)x(Al2O3)1 - x. Анализируется также электронная структура трех традиционных ключевых диэлектриков в кремниевых приборах: оксида SiO2, оксинитрида SiOxNy и нитрида Si3N4 кремния. Книга адресуется студентам, аспирантам, инженерам и научным сотрудникам, занимающимся физикой
твердого тела и микроэлектроникой.
Скопировать запись
Фрагмент текстового слоя документа размещен для индексирующих роботов.
Для полноценной работы с документом, пожалуйста, перейдите в
ридер.