ИСПОЛЬЗОВАНИЕ СТАТИСТИЧЕСКИХ ПОДКЛЕЙ В ПРОЦЕССЕ 

1вдротешшяого вырашвашя минералов 

Годовицына М.В.,Грозман П.Я.Дороговин Б.А.,Подошва Н.В. \ ,;• 

Научно обоснованное ведение технологического процеоса гид-
ротермального выращивания монокристаллов предусматривает установ-
ление однозначных связей меаду условиями выращивания (парамет-
рами процесса) и свойствами (признаками) готового кристалла, а 
также поиск оптимального соотношения управляемых параметров. 
Математические модели', связывавшие признаки (качество) готового 
гфистапла с параметрами процесса выращивания, являются основой 
для последующей автоматизации. 

До настоящего времени при проведения исследований влияния 
условий выращивания на качество едистадла^рассматривались, как 
правило, одномерные модели, например, зависимость скорости роста 
от некоторых параметров режима выращивания и т.д. 

Авторами предлагается свой подход к построению и использо-
ванию математических моделей в указанном процессе. Этот подход 
предполагает построение моделей, связывающих в совокупности все 
измеряемые признаки кристалла (т.е. как количественные, так и 
качественные его показатели) с параметрами технологического про-
цесса, расчет обобщенного критерия качества, учитывающего вое 
рассматриваемые признаки, и выбор оптимального варианта техноло-
гического процесса по максимальному значению критерия,- В основе 
разработанного математического обеспечения лежит получение ста-
тистических оценок переменных, проведение корреляционного ана- •••,.• 
лиза (построение матрицы взаимных корреляций мевду параметрами 
процесса и признаками кристалла), проведение регресоионного ана-
лиза (построение уравнений линейной и нелинейной регрессий для 
всех признаков кристалла с автоматическим выбором параметров 
процес'оа по заданному уровне значимости и проверка уравнений на 
адекватность по критериям Стыодента и Фишера, вывод таблиц ос-
татков). 

В качестве входных параметров Xl были приняты: количество 
шихты, содержание лития в растворе, процент открытия отруенаи-
равняющих устройств, пдощадь завески (затравки), температура 
к давление выращивания, температурный перепад» скорость роста.