Транзисторы на основе полупроводниковых гетероструктур
Доступ онлайн
2 000 Р
В корзину
Транзисторы на основе полупроводниковых гетероструктур
Издательство:
ИД МИСиС
Вид издания: Монография
Уровень образования: ВО - Магистратура
Авторы:
|
Год издания
2011
|
|
Кол-во страниц
364
|
|
ISBN
978-5-87623-489-6
|
|
Артикул
753438.01.99
|
Аннотация
Рассмотрены физические принципы работы наиболее распространенных приборов полупроводниковой электроники — биполярных и полевых транзисторов — в их современном модернизированном исполнении на основе гетероструктурных композиций. На их примере дан анализ нового направления электроники — гетероструктурной наноэлектроники. Это часть более масштабного направления, называемого нанотсхнологией. и охватывает она разработку полупроводниковых приборов и устройств субмикронных размеров. Приведены примеры реализации транзисторов на основе гетеросистем из материалов Ge/Si и А В . Установлены зависимости между размерами активных областей, составом материала и параметрами прибора. Выполнено сравнение и оценка возможностей материалов и приборов на их основе. Рассмотрены механизмы формирования и условия получения гетероэиитаксиальных структур с квантовыми точками в системах Ge/Si и InAs/GaAs с учетом элементов самоорганизации при эиитаксии. Интерес к самоунорядоченным наноструктурам обусловлен созданием нанотранзисторов. а также фотоприемников и источников излучения в диапазоне длин волн 1.3...1,5 мкм.
Книга предназначена для широкого круга научных и инженерно-технических работников, специализирующихся в области разработки новых полупроводниковых микро- и наногетероструктур и приборов на их основе, а также для студентов и аспирантов.
Библиографическая запись
Скопировать запись
Ковалев, А. Н. Транзисторы на основе полупроводниковых гетероструктур : монография / А. Н. Ковалев. - Москва : Изд. Дом МИСиС, 2011. - 364 с. - ISBN 978-5-87623-489-6. - Текст : электронный. - URL: https://znanium.com/catalog/product/1239530 (дата обращения: 06.03.2021). – Режим доступа: по подписке.
Классификаторы