Размер шрифта:
А
А
А
|  Шрифт:
Arial
Times
|  Интервал:
Стандартный
Средний
Большой
|  Цвет сайта:
Ц
Ц
Ц
Ц
Ц

Определение параметров гетероструктур, используемых в оптоэлектронике

Доступ онлайн
2 000 Р
В корзину

Определение параметров гетероструктур, используемых в оптоэлектронике

Нет доступа
Новинка
Издательство: ИД МИСиС
Вид издания: Учебное пособие
Уровень образования: ВО - Бакалавриат
Год издания
2002
Кол-во страниц
40
Артикул
753408.01.99
Аннотация
Практикум состоит из пяти лабораторных работ, выполнение которых позволит получить достаточно полное представление о свойствах гетероструктур, используемых в оптоэлектронике. В каждом описании к лабораторной работе дается краткое рассмотрение теории и технологии изготовления гетероструктур, что закрепляет знания студентов, полученные в лекционных курсах. Настоящий лабораторный практикум предназначен для студентов, обучающихся по направлению 550700 для изучения курсов «Основы высоких технологий», «Физико-химические основы многослойных гетероструктур», «Конструирование компонентов и элементов микроэлектроники».
Библиографическая запись Скопировать запись
Кузнецов, Г. Д. Определение параметров гетероструктур, используемых в оптоэлектронике : лабораторный практикум / Г. Д. Кузнецов, В. П. Сушков, А. Е. Ованесов. - Москва : ИД МИСиС, 2002. - 40 с. - Текст : электронный. - URL: https://znanium.com/catalog/product/1239464 (дата обращения: 07.05.2021). – Режим доступа: по подписке.