Теория и расчет полупроводниковых приборов и интегральных схем : полевые транзисторы. Ч. 2
Покупка
Тематика:
Полупроводниковая электроника
Издательство:
Издательский Дом НИТУ «МИСиС»
Год издания: 2001
Кол-во страниц: 84
Дополнительно
Доступ онлайн
В корзину
Приводится описание лабораторных работ, предназначенных для детального и углубленного изучения физических процессов в приборах и структурах современной полупроводниковой электроники - полевых транзисторах с управляющим переходом и МДП-структурой, вольтфарадных характеристик структур металл - диэлектрик - полупроводник. Работы предназначены, главным образом, для студентов обучающихся по специальности 2001 и направлению 5507.
Скопировать запись
Фрагмент текстового слоя документа размещен для индексирующих роботов.
Для полноценной работы с документом, пожалуйста, перейдите в
ридер.
№ 1664 Кафедра полупроводниковой электроники и физики полупроводников Г.И. Кольцов, Н.Н. Горюнов, С.И. Диденко ТЕОРИЯ И РАСЧЕТ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ И ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ Раздел: Полевые транзисторы Лабораторный практикум для студентов специальности 2001 и направления 5507 Часть 2 Лабораторные работы 7 – 10 Рекомендовано редакционно-издательским советом института МОСКВА 2001
УДК 621.382 К62 К62 Кольцов Г.И., Горюнов Н.Н., Диденко С.И. Теория и расчет полупроводниковых приборов и интегральных схем: Полевые транзисторы: Лаб. практикум. – М.: МИСиС, 2001.Ч.2. – 84 с. Приводится описание лабораторных работ, предназначенных для детального и углубленного изучения физических процессов в приборах и структурах современной полупроводниковой электроники – полевых транзисторах с управляющим переходом и МДП-структурой, вольт-фарадных характеристик структур металл – диэлектрик – полупроводник. Работы предназначены, главным образом, для студентов обучающихся по специальности 2001 и направлению 5507. © Московский государственный институт стали и сплавов (Технологический университет) (МИСиС) 2001
СОДЕРЖАНИЕ Основные правила техники безопасности при выполнении лабораторных работ .................................................................................4 Лабораторная работа 7 Изучение статических вольт-амперных характеристик полевых транзисторов с затвором в виде p – n-перехода и барьера Шоттки ....................................................................................6 Лабораторная работа 8 Исследование вольт-фарадных характеристик структур металл – диэлектрик – полупроводник (МДП)................................23 Лабораторная работа 9 Изучение статических вольт-амперных характеристик полевых МДП-транзисторов..............................................................45 Лабораторная работа 10 Исследование физической эквивалентной схемы полевого транзистора на высокой частоте .......................................................68 Приложение. Основные параметры МДП-транзисторов....................84 3
ОСНОВНЫЕ ПРАВИЛА ТЕХНИКИ БЕЗОПАСНОСТИ ПРИ ВЫПОЛНЕНИИ ЛАБОРАТОРНЫХ РАБОТ Выполнение лабораторных работ связано с использованием электрорадиоизмерительных приборов и стендов, являющихся источниками повышенной опасности, так как некоторые их элементы находятся под высоким напряжением. Поэтому к лабораторным работам студенты допускаются только после инструктажа по технике безопасности, о прохождении которого должны свидетельствовать их личные подписи в специальном журнале. Студент, работающий в лаборатории, обязан руководствоваться инструкциями и всеми дополнительными указаниями преподавателей о соблюдении мер безопасности при работе с установками. Выполнение работ при отсутствии преподавателя или лаборанта запрещается. Студенты, не выполняющие правила техники безопасности, или допускающие их нарушения в отношении других лиц, отстраняются от выполнения работ и привлекаются к ответственности. Запрещается загромождать столы и рабочее место посторонними предметами (сумками, портфелями, чемоданами, одеждой) и приборами, не относящимися непосредственно к выполняемой работе. Перед выполнением практической части лабораторного задания необходимо внимательно ознакомиться с описанием работы, схемой включения приборов, обратив особое внимание не цепи, находящиеся под повышенным напряжением. Прежде чем включать в сеть электрорадиоизмерительные приборы и стенды, необходимо убедиться в наличии надежного «зануления» корпусов приборов. Запрещается работать с «незануленными» или неисправными приборами, а также установками и стендами, не имеющими защитных кожухов. 4
Первое включение собранной схемы, а также ее включение после внесения изменений производится только с разрешения преподавателя или лаборанта. Запрещается пользоваться кабелями питания с поврежденной изоляцией проводников, вилок, разъемов, а также поврежденными штепсельными розетками. Все производимые в схеме установки изменения, снятие испытуемых приборов и переключения должны осуществляться только в полностью обесточенных цепях. После подачи напряжения прикосновение к открытым токоведущим частям схемы или исследуемых полупроводниковых приборов запрещается. При использовании переносных электрорадиоизмерительных приборов (например, тестеров), их необходимо располагать на стеллажах или столах. Запрещается во время измерений держать эти приборы в руках или на коленях. Запрещается оставлять без надзора включенные установки и приборы. Запрещается бесцельное хождение пo лаборатории, посторонние разговоры, отвлечение других от выполняемой работы. При обнаружении неисправности оборудования (погасшая индикаторная лампа, искрение, дым и т. п.), а также резком зашкаливании измерительных приборов необходимо принять меры к немедленному обесточиванию приборов и устранению неисправности вместе с преподавателем или лаборантом в соответствии с их указаниями. Если произошел несчастный случай, необходимо немедленно отключить установку от сети, сообщить о случившемся преподавателю иди лаборанту и оказать первую помощь пострадавшему. 5
ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА 7 Изучение статических вольт-амперных характеристик полевых транзисторов с затвором в виде p – n-перехода и барьера Шоттки (4 часа) 7.1. Цель работы Изучение статических вольт-амперных характеристик (ВАХ) и определение основных параметров полевых транзисторов (ПТ) с затвором в виде p – n-перехода и барьера Шоттки. 7. 2. Введение Полевой транзистор с затвором в виде p – n-перехода выполняет функцию резистора, управляемого с помощью напряжения. Проводимость канала полевого транзистора с p – n-переходом в качестве затвора определяется основными носителями, поэтому его также называют «униполярным» транзистором. Принцип действия полевого транзистора типа металл – полупроводник (МП-транзистор) идентичен принципу работы полевого транзистора с p – n-переходом в качестве затвора. Разница состоит лишь в том, что в МПтранзисторе в качестве затвора использован выпрямляющий контакт металл-полупроводник, называемый барьером Шоттки (БШ). На рис. 7.1 представлены схемы неуправляемого резистора (рис. 7.1, а), полевого транзистора с p – n-переходом (рис. 7.1, б) и МП-транзистора (рис. 7.1, в). 6
Рис. 7.1. Схемы неуправляемого резистора (а); полевого транзистора с p – n-переходом (б) и МП-транзистора (в) 7
Особенностью работы полевых транзисторов с p – nпереходом и МП-транзисторов является то, что управление выходным током осуществляется путем изменения геометрических размеров канала, а, следовательно, его полной проводимости. Полевые транзисторы обладают несомненными достоинствами при использовании в аналоговых переключателях, усилителях с высокоомным входом, СВЧ-усилителях и интегральных схемах. Они имеют более высокое входное сопротивление по сравнению с биполярными транзисторами. Так как полевые транзисторы являются униполярными приборами, они не чувствительны к эффектам накопления неосновных носителей, и поэтому имеют более высокие граничные частоты и скорости переключения. Полевой транзистор с затвором в виде p – n-перехода представляет собой проводящий канал с двумя омическими контактами – стоком и истоком. Третий электрод структуры – затвор – образует с каналом выпрямляющий p – n-переход. Сопротивление канала изменяется с изменением толщины области пространственного заряда (ОПЗ), распространяющейся в канал. Рассмотрим основные режимы работы ПТ на модели проводящего n-канала, ограниченного двумя р+-областями. 1. Напряжения, прикладываемые к электродам, следующие: UСТ – напряжение, поданное на электрод–сток; UЗ – напряжение, поданное на затвор; UИ – напряжение на истоке. На рис. 7.2, а указаны основные размеры, характеризующие рассматриваемую структуру: длина канала L; его толщина a; а также локальная ширина обедненного слоя h и соответствующая локальная толщина проводящего канала b при условии, что UСТ = UЗ = UИ = 0. 8
Рис. 7.2. Схемы, иллюстрирующие различные режимы работы ПТ 9
В отсутствии напряжений смещения прибор находится в термодинамическом равновесии, и все токи равны нулю. Ширина ОПЗ в этом случае определяется только контактной разностью потенциалов и уровнем легирования областей n и р+: WОПЗ1 = f(ϕk). 2. Напряжения, прикладываемые к электродам, следующие: UС = UИ = 0, UЗ < 0 (рис. 7.2, б). Полярность приложенных напряжений соответствует полярности напряжений n-канального полевого транзистора; для p-канального прибора полярность напряжений питания должна быть противоположной. В этом случае р+ – n-переход оказывается обратно смещенным и WОПЗ2 = f(ϕk + UЗ) > WОПЗ1. Следовательно, толщина канала уменьшилась. 3. Напряжения, прикладываемые к электродам: UИ = 0, UСТ > 0, UЗ < 0 (рис. 7.2, в). При таком режиме работы транзистора ширина ОПЗ (и следовательно толщина канала) со стороны стока и истока разная, поскольку со стороны истока р+ – n-переход находится под потенциалом ϕk + UЗ и WОПЗ = f(ϕk + UЗ), а со стороны стока добавляется потенциал стока (обратное смещение р+ – n-переход) на и WОПЗ = f(ϕk + UЗ + UСТ). При фиксированном значении напряжения на затворе – нулевом или отрицательном – и дальнейшем увеличении напряжения на стоке возникает момент, когда область пространственного заряда занимает всю толщину канала (рис. 7.2, г). Напряжение на стоке в этом случае называется напряжением стока насыщения UСТ.НАС, а протекающий в канале ток – током стока насыщения IСТ.НАС. Напряжение отсечки, при котором канал перекрывается областью пространственного заряда, равно: UОТС = ϕk + UЗ + UСТ.НАС. При дальнейшем увеличении напряжения на стоке ток стока изменяется слабо и остается примерно равным току насыщения до тех пор, пока не начнется лавинный пробой p+ – n-диода затвор – канал, после чего ток стока резко возрастает при увеличении напряжения. Типичные вольт-амперные характеристики полевого транзистора с p – n-переходом представлены на рис. 7.3. На этих характеристиках следует различать четыре области: – линейную – при малых напряжениях на стоке, где ток стока пропорционален напряжению на стоке; 10
– переходную область более слабого роста тока вследствие полевой зависимости подвижности; – область насыщения, где ток стока IСТ не зависит от напряжения стока; область пробоя, где ток стока стремительно растет при сравнительно небольших приращениях напряжения на стоке. Рис. 7.3. Вольт-амперные характеристики полевого транзистора с p – n-переходом Проведем анализ вольт-амперных характеристик длинноканального (L >> a) полевого транзистора с p – n-переходом, воспользовавшись следующими допущениями: 1 – приближением плавного канала; 2 – независимостью подвижности носителей заряда от электрического поля. Учитывая симметрию модели полевого транзистора с р+ –n -переходом, рассмотрим только верхнюю ее половину (рис. 7.4). 11
Доступ онлайн
В корзину