В данном пособии излагаются физические основы работы GaAs-ПТБШ, выводятся основные соотношения, характеризующие работу этого прибора в статическом режиме и высокочастотном диапазоне, приводятся методы оптимизации конструкции GaAs-ПТБШ с целью получения заданных характеристик прибора и описываются основные этапы конструирования, исходя из требований, которые обычно выдвигает заказчик к разработчику полупроводниковых приборов и ИС.

Кольцов, Г. И. СВЧ-приборы и интегральные микросхемы : полевые транзисторы GaAs с затвором в виде барьера Шоттки : учебное пособие / Г. И. Кольцов. - Москва : ИД МИСиС, 1998. - 59 с. - Текст : электронный. - URL: https://znanium.com/catalog/product/1239440 (дата обращения: 06.03.2021). – Режим доступа: по подписке.

• 170704: Микроэлектроника. Наноэлектроника

• 312: Электроэнергетика. Электротехника

• 621: Общее машиностроение. Ядерная техника. Электротехника. Технология машиностроения в целом

• 11.03.01: Радиотехника
• 11.03.04: Электроника и наноэлектроника
• 12.03.01: Приборостроение
• 13.03.02: Электроэнергетика и электротехника
• 15.03.01: Машиностроение

• 47.33.31: Интегральные микросхемы

Кольцов Геннадий Иосифович

Национальный Исследовательский Технологический Университет "МИСИС"