Полупроводниковые оптоэлектронные приборы
Покупка
Тематика:
Полупроводниковая электроника
Издательство:
Издательский Дом НИТУ «МИСиС»
Год издания: 2006
Кол-во страниц: 63
Дополнительно
Доступ онлайн
В корзину
Лабораторный практикум включает описание принципов работы основных оптоэлектронных полупроводниковых приборов: оторезисторов, фотодиодов, фототранзисторов, оптронов и др. Представлены схемы измерения и методики расчета основных параметров и характеристик оптоэлектронных приборов. Для усвоения предлагаемого материала необходимо иметь базовые знания по курсам «Физика твердого тела», «Физика лупроводниковых приборов», «Квантовая и оптическая электроника». Предназначен для студентов специальности 210104 (2001) «Микроэлектроника и твердотельная электроника» (специализация «Физика и технология интегральных микросхем и полупроводниковых приборов»).
Тематика:
ББК:
- 3285: Электроника
- 329: Телевидение. Радиолокация. Автоматика и телемеханика. Вычислительная техника. Оргтехника
УДК:
ОКСО:
ГРНТИ:
Скопировать запись
Фрагмент текстового слоя документа размещен для индексирующих роботов.
Для полноценной работы с документом, пожалуйста, перейдите в
ридер.
ФЕДЕРАЛЬНОЕ АГЕНТСТВО ПО ОБРАЗОВАНИЮ № 576 МОСКОВСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ИНСТИТУТ СТАЛИ и СПЛАВОВ Технологический университет МИСиС Кафедра полупроводниковой электроники и физики полупроводников СЮ. Юрчук СИ. Диденко Г.И. Кольцов Полупроводниковые оптоэлектронные приборы Л а б о р а т о р н ы й практикум Одобрено редакционно-издательским советом института Москва Издательство «УЧЕБА» 2 0 0 6
УДК 621.383 Ю83 Рецензент д-р. физ.-мат. наук, проф. А.Н. Ковалев Юрчук С.Ю., Диденко С.И., Кольцов Г.И. Ю83 Полупроводниковые оптоэлектронные приборы: Лаб. практикум. – М.: МИСиС, 2006. – 63 с. Лабораторный практикум включает описание принципов работы основных оптоэлектронных полупроводниковых приборов: фоторезисторов, фотодиодов, фототранзисторов, оптронов и др. Представлены схемы измерения и методики расчета основных параметров и характеристик оптоэлектронных приборов. Для усвоения предлагаемого материала необходимо иметь базовые знания по курсам «Физика твердого тела», «Физика полупроводниковых приборов», «Квантовая и оптическая электроника». Предназначен для студентов специальности 210104 (2001) «Микроэлектроника и твердотельная электроника» (специализация «Физика и технология интегральных микросхем и полупроводниковых приборов»). © Московский государственный институт стали и сплавов (технологический университет) (МИСиС), 2006
СОДЕРЖАНИЕ Основные правила техники безопасности при выполнении лабораторных работ 4 Лабораторная работа 1. Изучение характеристик фотодиодов 6 Лабораторная работа 2. Фотоэлектрические преобразователи энергии 20 Лабораторная работа 3. Изучение основных характеристик биполярных фототранзисторов 40 Лабораторная работа 4. Изучение характеристик оптронов 49 3
ОСНОВНЫЕ ПРАВИЛА ТЕХНИКИ БЕЗОПАСНОСТИ ПРИ ВЫПОЛНЕНИИ ЛАБОРАТОРНЫХ РАБОТ Выполнение лабораторных работ связано с использованием электрорадиоизмерительных приборов и стендов, являющихся источниками повышенной опасности, так как некоторые элементы их находятся под высоким напряжением. Поэтому к лабораторным работам студенты допускаются только после инструктажа по технике безопасности, о получении которого должны свидетельствовать их личные подписи в специальном журнале. Студенты, работающие в лаборатории, обязаны руководствоваться инструкциями и всеми дополнительными указаниями преподавателей о соблюдении мер безопасности при работе с установками. Выполнение работ в отсутствии преподавателя или лаборанта запрещается. Студенты, не выполняющие правил техники безопасности или допускающие их нарушения в отношении других лиц, отстраняются от выполнения работ. Запрещается загромождать рабочее место посторонними предметами (сумками, портфелями, чемоданами, одеждой) и приборами, не относящимися непосредственно к выполняемой работе. Перед выполнением практической части лабораторного задания необходимо внимательно ознакомиться с описанием работы, схемой включения приборов, обратив особое внимание на цепи, находящиеся под повышенным напряжением. Прежде чем включать в сеть электрорадиоизмерительные приборы и стенды, необходимо убедиться в наличии надежного зануления корпусов приборов. Работа с незануленными или неисправными приборами, установками и стендами, не имеющими защитных кожухов, запрещается. Первое включение собранной схемы, а также ее включение после внесения изменений производится только с разрешения преподавателя или лаборанта. Пользоваться кабелями питания с поврежденной изоляцией проводников, вилок, разъемов, а также поврежденными штепсельными розетками запрещается. Все производимые в схеме установки изменения, снятие испытуемых приборов и переключения должны осуществляться только в 4
полностью обесточенных цепях. После подачи напряжения прикосновение к открытым токоведущим частям схемы или исследуемых полупроводниковых приборов запрещается. При пользовании переносными электрорадиоизмерительными приборами (например, тестерами) последние должны располагаться на стеллажах или столах. Запрещается во время измерений держать эти приборы в руках или на коленях. Запрещается оставлять без надзора включенные установки и приборы. Запрещается бесцельное хождение пo лаборатории, посторонние разговоры, отвлечение других от выполняемой работы. При обнаружении неисправности в оборудовании (погасание индикаторной дампы, искрение, дым и т.п.) или резком зашкаливании измерительных приборов необходимо принять меры к немедленному обесточиванию приборов и устранению неисправности вместе с преподавателем или лаборантом. Если произошел несчастный случай, необходимо немедленно отключить установку от сети, сообщить о случившемся преподавателю иди лаборанту и оказать первую помощь пострадавшему. 5
Лабораторная работа 1 ИЗУЧЕНИЕ ХАРАКТЕРИСТИК ФОТОДИОДОВ 1.1. Цель работы Изучить основные физические принципы работы и параметры полупроводниковых фотодиодов, измерить их характеристики. 1.2. Введение В приборах, работающих на фотовольтаическом эффекте, создаются потенциальные барьеры для подвижных носителей заряда, генерированных излучением, с помощью которых происходит разделение носителей зарядов. Рассмотрим некоторые особенности работы фотоприемников с потенциальным барьером, созданным различными методами. Когда оптическое излучение падает перпендикулярно плоскости р–n-перехода, поглощение квантов происходит в различных областях структуры. Коротковолновые фотоны с большим коэффициентом поглощения генерируют электронно-дырочные пары вблизи поверхности. Эти носители заряда за счет диффузии движутся либо к поверхности, либо к области пространственного заряда, поэтому коротковолновая часть спектральной характеристики будет определяться их временем жизни на поверхности и в объеме фронтальной области. Для повышения чувствительности в коротковолновой области желательно располагать p–n-переход ближе к освещаемой поверхности и увеличивать время жизни носителей заряда. Длинноволновая граница спектральной чувствительности прибора определяется временем жизни носителей заряда в тыльной (базовой) области и коэффициентом поглощения, соответствующим краю полосы основного поглощения. На фотоприемник с p–n-переходом можно подать обратное смещение и увеличить область пространственного заряда за счет квазинейтральной области; при этом растет фоточувствительность прибора и у длинноволнового края. Однако при подаче обратного смещения возрастает темновой ток, увеличиваются шумы и ухудшаются пороговые характеристики. На рис. 1.1 приведены спектральные характеристики кремниевого фотоприемника в зависимости от внешнего смещения, а на рис. 1.2 – спектральная характеристика фотодиода с различной толщиной освещаемой области. 6
SI, мА/Вт 300 200 100 0,4 0,6 0,8 1 λ, мкм Рис. 1.1. Зависимость спектральной характеристики фотоприемника от внешнего смещения 5'i, отн. ед X, мкм Рис. 1.2. Зависимости спектральных характеристик фотоприемных p–n-структур от толщины освещаемой области 7
Как видно из рисунков, увеличение смещения и уменьшение глубины залегания p–n-перехода повышают чувствительность, в одном случае – в длинноволновой (уменьшение длины квазинейтральной базы), а в другом – в коротковолновой части спектра. Приблизить область пространственного заряда (ОПЗ) к освещаемой поверхности можно, используя вместо p–n-перехода контакт металл–полупроводник (барьер Шоттки). Область пространственного заряда контакта металл–полупроводник (МП) находится непосредственно у поверхности, и часть падающих квантов излучения hν ≥ Eg, пройдя через металл, генерирует носители заряда непосредственно в ОПЗ полупроводника. Слой металла, нанесенный на полупроводник, должен быть достаточно тонким (полупрозрачным), чтобы в нем не происходило заметного поглощения квантов. Однако даже тонкий слой металла приводит к сильному отражению излучения от его поверхности. Кроме этого, можно использовать эффект поглощения квантов в самом металле, если свободный электрон в металле приобретает энергию, достаточную для преодоления потенциального барьера со стороны металла. Еще одна возможность расширить спектральный диапазон фотоприемника в коротковолновую область – использовать вместо гомоp–n-перехода гетеропереход, причем освещать более широкозонную область. В этом случае коротковолновые кванты, которые ранее поглощались в приповерхностной области p–n-перехода, будут свободно проходить через широкозонный материал и поглощаться в области пространственного заряда узкозонного полупроводника. Благодаря такой же конструкции расширение спектрального диапазона происходит не только за счет уменьшения роли поверхностной рекомбинации, но и за счет поглощения коротковолновых квантов в широкозонном материале. Фотоприемники со структурой диэлектрик–полупроводник и металлическим электродом объединены в один класс полупроводниковых МДП-приборов, хотя по принципу действия и по параметрам эти приборы могут принципиально отличаться друг от друга. Если диэлектрик туннельно прозрачен, т.е. возможен туннельный перенос через него носителей заряда, конструкция мало отличается от фотодиода с барьером Шоттки. В фото-МДП-диодах с толстым непрозрачным для туннельного переноса диэлектриком ток не течет. В этом случае для регистрации сигнала используется эффект разделения генерированных в области пространственного заряда полупро 8
водника носителей, приводящий к фотовольтаическому эффекту, аналогичному тому, который наблюдается в p – n-переходе в отсутствие внешнего смещения. Для регистрации квантов излучения можно использовать изменение емкости МДП-структуры за счет генерации избыточных носителей заряда; такой прибор носит название МДПфотоварикап. В МДП-структурах темновой ток значительно меньше тока обратносмещенного перехода, поэтому регистрация изменения емкости значительно проще, измерения проще, ошибки измерения меньше, точность измерения выше. Во всех перечисленных конструкциях фотодиодов каждый поглощенный квант с энергией hv > Eg создает по крайней мере одну электронно-дырочную пару. Если к переходу приложить напряжение, близкое к пробивному, или специально создать в структуре фотоприемника область сильного поля, то за счет лавинного размножения носителей заряда можно получить более одной электроннодырочной пары на один поглощенный фотон. Такие фотоприемники с внутренним усилением называются лавинными фотодиодами (ЛФД). Кремний, как наиболее технологически совершенный материал, может использоваться во всех перечисленных типах фотоприемников. Наиболее подходящим диапазоном для кремниевых фотодиодов является ближняя ИК-область 0,8…0,9 мкм, где соответствующим выбором конструкции можно достичь квантовой эффективности, близкой к 100 %. Длинноволновая граница спектра поглощения кремния ?wp - 1,1 мкм. В этой области коэффициент собственного поглощения мал, поэтому эффективность фотопреобразования невелика. В коротковолновой области коэффициент поглощения кремния а > 105 см 1, все поглощение происходит в приповерхностной области, отсюда велики потери на поверхностную рекомбинацию и вклад коротковолновых квантов в спектральную чувствительность мал. Кроме кремния в видимой и ИК областях спектра обычно применяются двойные, тройные и даже четверные полупроводниковые соединения и сплавы групп AIIIBV и AIIBVI с нужной шириной запрещенной зоны. Электронно-дырочный переход представляет собою контакт двух областей полупроводникового материала различного типа проводимости. Существует много технологических приемов создания p – n-перехода, каждый из которых имеет характерный профиль распределения примеси вблизи металлургической границы p – n-перехода. Основные физические принципы и положения теории 9
работы р– n-перехода рассматриваются в курсе «Физика полупроводниковых приборов», поэтому сразу перейдем к принципам работы p – n-перехода в качестве фотоприемника. Параметры фотодиодов с p – n-переходом рассчитываются так же, как для обычных диодов, но с учетом скорости генерации носителей заряда квантами излучения определенной энергии, которая зависит от потока фотонов Ф^, коэффициента отражения r, поглощения а^ и расстояния х от поверхности фотодиодов, на которую попадет излучение: дn G(?1,x) = а;,Ф;,(1-r;,)exp(-а;,x). Подставляя G(k,x) в уравнение непрерывности — = G-R-div(jn)/q, решаем его для n-области толщиной Wб , р-области толщиной Wб с учетом граничных условий. Граничные p условия предполагают, что все носители заряда, подошедшие к поверхности, рекомбинируют, а все носители заряда, подошедшие к области пространственного заряда, переносятся полем в квазинейтральные области противоположного типа проводимости, в результате чего получаем распределение избыточных носителей заряда в квазинейтральных областях. Выражение для фототока можно получить, рассчитав дрейфовую и диффузионную составляющие: It=Apnq [ipEp-Dp—n dx Общий фототок равен сумме токов за счет генерации носителей заряда в квазинейтральных областях и области пространственного заряда. Если полученное значение общей плотности тока на данной длине волны отнести к количеству квантов, поглощенных во всех областях фотодиода, можно определить квантовую эффективность: Рассчитав таким образом квантовую эффективность для каждой длины волны, строим спектральную характеристику внутренней квантовой эффективности. Внешняя квантовая эффективность Лх определяется без учета коэффициента отражения: 10
Спектральная чувствительность рассчитывается после определения общей плотности тока и мощности потока излучения: Sx = jXобщ /Px. При освещении общий ток фотодиода определяется фототоком I Ф = Iобщ = Аpnqг\хвн и темновым током: I = I Ф + IS[exp(qUвн/mkT) - 1], где IS - обратный, или темновой, ток диода. Для того чтобы определить порог чувствительности данного фотоприемника и его обнаружительную способность, необходимо проанализировать всевозможные источники шумов фотоприемника. Например, для фотоприемника с p – n-переходом, работающего в фотовольтаическом режиме, можно принять, что шум определяется джонсоновскими шумами дифференциального темнового сопротивления Rт, которое при нулевом смещении равно kTm /qIS (U2 =kTAfRт или I =4kTAf/Rт). Если Р ш - эквивалентная мощность шума, т.е. мощность потока квантов, определяющая на выходе напряжение, равное напряжению шума, то Тогда обнаружительная способность будет равна D^* = qn^X(AфRтfAf/ 2/2hc(kTJ/2 , где АФ - площадь освещаемой поверхности. Отсюда следует, что обнаружительная способность фотоприемника, работающего в фотовольтаическом режиме, определяется квантовой эффективностью и зависит от квадратного корня из произведения площади фотоприемника на дифференциальное темновое сопротивление. Для увеличения обнаружительной способности необходимо повышать дифференциальное сопротивление, т. е. снижать обратные токи. В общем случае, кроме дифференциального сопротивления Rт , необходимо учитывать все сопротивления, входящие в эквивалент 11
Доступ онлайн
В корзину