Москва
Горячая линия – Телеком

2020

Допущено Учебно-методическим объединением вузов по 
университетскому политехническому образованию в качестве 
учебного пособия для студентов высших учебных заведений, 
обучающихся по направлению подготовки
09.03.01 «Информатика и вычислительная техника»

2-е издание,
переработанное и исправленное

УДК 621.375 
ББК 32.846 
    П27 

Р е ц е н з е н т ы :  канд. техн. наук, доцент кафедры «Систем автоматизированного 
проектирования» Московского государственного технического университета 
им. Н. Э. Баумана  В. А. Мартынюк; доктор техн. наук, профессор кафедры 
«Информатика и вычислительная техника» Рязанского государственного уни-
верситета им. С. А. Есенина  В. Н. Ручкин 

Перепелкин Д. А. 
П27        Схемотехника усилительных устройств. Учебное пособие для 
вузов. – 2-е изд., испр. и перераб. – М.: Горячая линия – Телеком, 
2020. – 240 с: ил. 
ISBN 978-5-9912-0456-9. 
Рассмотрены теоретические и практические аспекты разработки 
и проектирования современных усилительных устройств. Приведены 
способы математического описания их работы, а также основы анали-
за и синтеза устройств с заданными техническими характеристиками 
и параметрами. 
Для студентов, обучающихся по направлению 09.03.01 – «Инфор-
матика и вычислительная техника», а также специалистов в области 
разработки и проектирования радиоэлектронных устройств. 
ББК 32.846 

Адрес издательства в Интернет WWW.TECHBOOK.RU 

ISBN 978-5-9912-0456-9                               © Д. А. Перепелкин, 2020 
          © Издательство «Горячая линия – Телеком», 2020  

Введение

Важнейшим условием повышения конкурентоспособности российских 

предприятий является внедрение современных информационных технологий и 
электронных устройств. Для повышения качества продукции и услуг на пред-
приятиях активно внедряются электронные средства специального назначения.
Промышленное развитие электроники и схемотехники можно подразделить на 
два направления: энергетическое, связанное с преобразованием переменного и 
постоянного тока для нужд электроэнергетики и информационное, к которому 
относятся электронные средства, обеспечивающие измерения, контроль и 
управление различными процессами и системами во многих отраслях науки и 
техники.

Настоящее учебное пособие написано в соответствии с ФГОС-3 и 

программой курса «Электротехника, электроника и схемотехника» для студен-
тов, обучающихся по направлению 090301 «Информатика и вычислительная 
техника».

В учебном пособии в сжатой и доступной форме последовательно изложе-

ны теоретические и практические аспекты разработки и проектирования совре-
менных усилительных устройств. Материал учебного пособия сопровождается 
большим числом иллюстративного материала и практических примеров, что 
поможет студентам правильно проектировать усилительные устройства, выби-
рать необходимые схемотехнические варианты их исполнения, модернизиро-
вать и улучшать их функционирование.

Учебное пособие состоит из девяти глав. Первая и вторая главы посвящены 

принципам и режимам работы, схемам включения, усилительным свойствам и 
вольт-амперным характеристикам биполярных и полевых транзисторов.
В третьей главе приводятся классификация усилителей, их основные параметры 
и характеристики, способы расчета в различных режимах работы, а также прак-
тические схемы термостабилизации усилительных каскадов. В четвертой главе 
рассматривается применение обратной связи в усилительных устройствах и ее 
влияние на полосу пропускания сигналов. Пятая глава посвящена частотным 
характеристикам и параметрам усилительных устройств на транзисторах во 
всем диапазоне частот. В шестой и седьмой главах рассмотрены практические 
схемы усилительных устройств на дифференциальных каскадах и операцион-
ных усилителях. Восьмая глава посвящена практическим схемам пассивных и 
активных фильтров. В девятой главе рассматриваются вопросы расчета, проек-
тирования и разработки многокаскадных усилительных устройств в соответст-
вии с заданными техническими характеристиками и параметрами.

Введение

В результате изучения данного учебного пособия студенты должны знать:
элементную базу современных усилительных устройств;
принципы построения и функционирования усилительных устройств;
режимы работы усилительных устройств;
способы расчета статических и динамических параметров усилительных 

устройств;

методы анализа и синтеза усилительных устройств с заданными техниче-

скими характеристиками и параметрами;

уметь:
составлять электрические и электронные схемы усилительных устройств;
рассчитывать электронные цепи постоянного и переменного токов;
выполнять расчеты различных усилительных устройств с заданными тех-

ническими характеристиками и параметрами;

владеть:
современными средствами автоматизированного проектирования и моде-

лирования усилительных устройств.

Данная книга может быть использована в качестве учебного пособия 

не только для указанного направления, но и в качестве справочного пособия 
для других направлений и специальностей, а также специалистов в области 
разработки и проектирования радиоэлектронных устройств. 

Автор благодарен за оказанную помощь в улучшении содержания учебного 

пособия заведующему кафедрой «Систем автоматизированного проектирова-
ния вычислительных средств» Рязанского государственного радиотехнического 
университета д.т.н., профессору В.П. Корячко.

Автор выражает глубокую признательность рецензентам  к.т.н., доценту 

кафедры «Системы автоматизированного проектирования» Московского госу-
дарственного технического университета им. Н.Э. Баумана В.А. Мартынюку и  
д.т.н., профессору кафедры «Информатика и вычислительная техника» Рязан-
ского государственного университета им. С.А. Есенина В.Н. Ручкину. 

ГЛАВА 1. БИПОЛЯРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ 
 
Биполярный транзистор (БТ) – это полупроводниковый прибор, состоящий 
из двух электронно-дырочных (p-n)-переходов, выполненных в одном кри-
сталле. 

р
n
n

Э
К

Б
UЭ
UК

+
-

+
-

р
n
Э
К

Б
UЭ
UК

-
+

-
+

р

х
dб

ni, pi

П1

П1
П2

П2

dб

 

В транзисторе имеется три об-
ласти: 
 эмиттерная; 
 базовая; 
 коллекторная и соответственно три 
вывода (электрода): эмиттер, база, 
коллектор. 
Переход, который образуется на 
границе эмиттер-база, называется 
эмиттерным (П1), а на границе база-
коллектор – коллекторным (П2). 
Проводимость базы может быть 
как дырочной, так и электронной, 
соответственно различают транзи-
сторы со структурами n-p-n и p-n-p. 
На рис. 1.1 приведены структуры 
биполярных транзисторов. Принцип 
работы транзисторов обоих типов 
одинаков.   
 

Рис. 1.1. Структуры биполярных транзисторов  

Различие состоит в том, что в транзисторах со структурой n-p-n ток, теку-
щий через базу, создают электроны, инжектированные эмиттером в базу, а в 
транзисторах p-n-p этот ток создают дырки.  
Обозначение биполярных транзисторов на принципиальных электрических 
схемах приведено на рис. 1.2. 

 а 
 б 
Рис. 1.2. Обозначение биполярных транзисторов на схемах:                                           
а − n-p-n-типа; б − p-n-p-типа  

Д.А. Перепелкин 
 
 В усилительном режиме работы транзистора эмиттерный переход смещен 
в прямом направлении, а коллекторный переход – в обратном. 
В транзисторе осуществляется взаимное влияние переходов друг на друга. 
Для эффективного воздействия эмиттерного перехода на коллекторный переход 
необходимо выполнение следующих основных требований: 
1. Толщина базы транзистора должна быть много меньше диффузионной 
длины пробега инжектируемых в нее носителей: 
LP >> dб = 1,5 ... 25 мкм. 
2. База должна иметь концентрацию основных носителей много меньше 
концентрации основных носителей в области эмиттера. 
3. Площадь коллекторного перехода должна быть в несколько раз больше 
площади эмиттерного перехода. 
По технологии изготовления различают: 
 сплавные транзисторы; 
 диффузионные (планарные) транзисторы; 
 комбинированные транзисторы (диффузионно-сплавные или планарно-
сплавные). 
 
1.1. ПРИНЦИП РАБОТЫ БИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА  

Образование эмиттерного и коллекторного переходов приводит к некото-

рому уменьшению реальной толщины базы 
б
'
б
d
d 
. 

При подключении EК происходит увеличение потенциального барьера кол-
лекторного перехода. Толщина коллекторного перехода несколько увеличива-
ется. В коллекторной цепи появляется слабый ток (в полупроводниковом диоде 
при обратном напряжении). Этот ток называют собственным обратным током 
коллектора и обозначают IК0. 
При подключении EЭ происходит снижение потенциального барьера эмит-
терного перехода, соответственно его толщина уменьшается и в эмиттерной 
цепи появляется ток эмиттера. Ток эмиттера в основном определяется током 
диффузии, который состоит из электронной и дырочной составляющих: 
IЭ = IЭn + IЭр. 
Если бы концентрация основных носителей в эмиттерной и базовой облас-
тях была одинаковой, то это привело бы к выравниванию концентрации основ-
ных носителей: 
IЭn = IЭр. 
Однако, у транзистора база бедна основными носителями (электронами 
проводимости), а область эмиттера, наоборот, имеет высокую концентрацию 
основных носителей (дырок), поэтому: IЭр >> IЭn, т. е. дырочная составляющая 

Схемотехника усилительных устройств                                                                                                        7 
 
тока эмиттера много больше бесполезной электронной составляющей тока 
эмиттера. Электронная составляющая тока эмиттера IЭn оказывается бесполез-
ной потому, что она замыкается через цепь базы и не участвует в создании тока 
коллектора. Диффузия электронов из базы в эмиттер восполняется притоком в 
базу новых электронов из внешней цепи, что и определяет величину и направ-
ление электронной составляющей тока эмиттера.  
Принцип работы биполярного транзистора показан на рис. 1.3. 

х

Iб

p
p
n

 
IК0

dб

'
б
d
IКp

IК
IЭn

+ ЕЭ -

IЭР

IЭ

IЭ рек
+ ЕК -

-
+
-
+

+
+

+
+
-
-

-

UКОН

ЕК

ЕЭ

Диффузия

Генерация

Распределение 
потенциала 
вдоль структуры 
при отсутствии 
питающих 
напряжений

С источником 
питания
Рекомбинация

IК = IЭ

 
Рис. 1.3. Принцип работы биполярного транзистора 

Для цепи базы IЭn является одной из составляющих тока базы. 
Отношение IЭр / IЭ = IЭр / (IЭр + IЭn) =  = 0,99 … 0,995 называется эффек-
тивностью эмиттера. 
Дырочная составляющая тока эмиттера определяется переходом дырок из 
эмиттера в базу. Так как напряжения источника питания выделяются в основ-
ном на переходах, обладающих в сравнении с тонкой базой относительно 
большими сопротивлениями, то можно считать, что электрическое поле в базе у 

Д.А. Перепелкин 
 
такого транзистора практически отсутствует и перемещение дырок, инжектиро-
ванных в базу из эмиттера под действием тепловой диффузии, происходит 
только за счет самой диффузии. При непрерывной инжекции (IЭ = const) в базе 
устанавливается соответствующее распределение концентрации дырок, что и 
предопределяет их перенос через базу. 
Пройдя к обратно смещенному коллекторного переходу, дырки совершен-
но свободно (как не основные носители заряда) переходят из базы в коллектор, 
увеличивая тем самым ток коллектора IК. Так как дырки переходят из базы в 
коллектор беспрепятственно, то их концентрация на границе базы c коллекто-
ром переходом оказывается практически равна нулю. При этом некоторое ко-
личество дырок при своем движении в базе успевает рекомбинировать с элек-
тронами проводимости, вызывая тем самым дополнительный приток электро-
нов в базу из внешней цепи. Это обуславливает разделение дырочной состав-
ляющей тока эмиттера: 
IЭр = IЭрек + IКр, 
где IЭрек – рекомбинационная составляющая тока по направлению с током IЭn 
(замыкается через цепь базы); 
IКр – часть тока эмиттера, замыкающая через коллекторную цепь. 
Так как базу делают тонкой и бедной основными носителями заряда, а пло-
щадь коллекторного перехода больше площади эмиттерного, то на коллектор 
попадает подавляющее большинство инжектирующих эмиттером дырок, по-
этому:  
IЭрек << IКр. 
Отношение IКр / IЭр = IКр / (IКр + IЭрек) =  = 0,99 … 0,995 называется коэф-
фициентом переноса. 
Основным параметром биполярного транзистора считается интегральный 
коэффициент прямой передачи тока эмиттера 
u
 . Коэффициент 
u
  показыва-

ет, какая часть тока эмиттера замыкается через коллекторную цепь и зависит от 
режима работы транзистора. 

.
I

I

I

I

I

I
р

р

р
р
u
99
,0
95
,0

Э

Э

Э

К

Э

К








 

Согласно рис. 1.3, соответствующие зависимости токов биполярного тран-
зистора выглядят следующим образом:    
IЭ = IЭn + IЭр; 
IБ = IЭn + IЭрек - IК0; 
IК = IКр + IК0 
или с учетом предыдущего выражения для коэффициента 
u
 : 

Схемотехника усилительных устройств                                                                                                        9 
 
IК = 
u
 IЭ + IК0. 
Ток IК = 
u
 IЭ представляет собой управляемую часть коллекторного тока.  

Собственный обратный ток коллектора IК0 не зависит от тока эмиттера IЭ и 
его называют неуправляемым током коллектора. Так как собственный обрат-
ный ток коллектора IК0  0, то IК  
u
 IЭ. 

u

u

u

u

u
р

р

р

I
I
I
I

I
















1
1
1

1
1
1

1

1
)
(

К

Э
К
Э

К
. 

 
1.2. УСЛОВНОЕ ОБОЗНАЧЕНИЕ БИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА 

Условное обозначение биполярного транзистора со структурой p-n-p при-
ведено на рис. 1.4. 

К
U

Б
Э
U
U



 
Рис. 1.4.  Условное обозначение биполярного транзистора 

Приведенное выражение токов IЭ, IБ и IК удовлетворяют I закону Кирхгофа: 
IЭ = IБ + IК,  
тогда можно записать: 
dIЭ = dIБ + dIК. 
В теории и практике расчетов транзисторных схем широко используют 
дифференциальный коэффициент передачи тока эмиттера : 

Э

К

Э

К
I
I
I
d
I
d





, при UК = const. 

Учитывая, что IК = 
u
 IЭ + IК0,  получим:  

const
U

u
u

const
U

К
u
I
d
d
I
I
d
I
I
d








К
Э
Э

К
Э

0
Э
)
(




. 

При изменении тока эмиттера IЭ в пределах средних значений (обычных 
для усилительного режима) 
u
  = const при UК = const, поэтому  

 = 
u
  = 0,95 … 0,99. 

 

Д.А. Перепелкин 
 
Транзистор характеризуется также интегральным коэффициентом передачи 
тока базы 
и
 : 

)
(1
)
(
)
(
)
(
К
Э

К

К0
б

К0
К

Эрек
Э

К

и

и

p

p
p

n

p
и
I
I

I

I
I

I
I

I
I

I














, где 
.
I

I

и
p



Э

К
 

Максимальному значению 
u
  соответствует максимум 
и
 . Согласно при-

веденной формуле незначительное уменьшение 
u
  вызывает существенное 

уменьшение 
и
 . 

В транзисторной технике широко используют дифференциальный коэффи-
циент передачи тока базы : 

Б

К

К
Э

К

Б

К
)
1(
)
(
I
I
dI
dI
dI
dI
dI













 при UК = const. 

При средних значениях тока эмиттера IЭ, когда 
u
      1 

)
1(








и
 >> 1. 

На практике иногда используют более простые, но менее точные соотно-
шения:  

Э

К
I
I
и 


 и 

Б

К
I
I
и 
 

, 

которые справедливы при условии: IК >> IБ > IК0. 
Транзисторы представляют собой управляемый электронный прибор. Ве-
личина его тока IК зависит от величины токов IЭ или IБ. Обратно смещенный 
коллекторный переход допускает включение источника э.д.с. ЕК >> ЕЭ. Если     
в цепь эмиттера включить дополнительный источник э.д.с. ЕЭ< ЕЭ << ЕК, то 
он будет расходовать мощность РЭ = ЕЭ IЭ. При этом ток коллектора изме-
нится на величину IК =  IЭ  IЭ и в коллекторной цепи выделится дополни-
тельная мощность РК = ЕКIК  ЕКIЭ >> РЭ. В этом и проявляется усили-
тельный эффект транзистора, который при надлежащем подборе параметров 
схемы может быть использован для усиления мощности, так и напряжения сиг-
нала.  
Изложенное показывает, что усиление мощности сигнала происходит с по-
мощью транзистора за счет энергии источника питания ЕК.