Электронные измерения в нанотехнологиях и микроэлектронике
Покупка
Тематика:
Микроэлектроника. Наноэлектроника
Издательство:
ДМК Пресс
Год издания: 2011
Кол-во страниц: 688
Дополнительно
Вид издания:
Монография
Уровень образования:
ВО - Магистратура
ISBN: 978-5-94074-626-3
Артикул: 615863.01.99
Первая в России монография по самым современным электронным электро- и радиоизмерениям и измерительным приборам, применяемым в научных исследованиях, тестировании и испытании устройств и систем микроэлектроники и нанотехнологий. Впервые подробно описаны средства измерений, применяемые в условиях крупносерийного микроэлектронного производства, и приборы ведущих в их раз- работке и производстве фирм: Keithley, Tektronix, Agilent Technologies, LeCroy, R&S и др. Особое внимание уделено анализу и генерации тестовых сигналов, измерению их параметров в области малых и сверхмалых времен, измерению сверхмалых токов и напряжений, анализу импеданса и иммитанса цепей, измерениям статических и динамических характеристик полупроводниковых приборов и интегральных микросхем и др. Является самым крупным обзором современных зарубежных и отечественных измерительных приборов на рынке России и мира. Для инженеров, научных работников, аспирантов, преподавателей и студентов вузов и университетов технического и классического типов.
Скопировать запись
Фрагмент текстового слоя документа размещен для индексирующих роботов.
Для полноценной работы с документом, пожалуйста, перейдите в
ридер.
Электронные измерения в нанотехнологиях и микроэлектронике Москва, 2011 А. А. Афонский, В. П. Дьяконов Под редакцией проф. В. П. Дьяконова Издание рекомендовано в качестве учебного пособия для студентов технических вузов
УДК 621.3.049.77:621.3.08 ББК 32.844.1+31.221 А94 Афонский А. А., Дьяконов В. П. А94 Электронные измерения в нанотехнологиях и микроэлектронике / Под ред. проф. В. П. Дьяконова. – М.: ДМК Пресс, 2011. – 688 с. ISBN 978-5-94074-626-3 Первая в России монография по самым современным электронным электро- и радиоизмерениям и измерительным приборам, применяемым в научных исследованиях, тестировании и испытании устройств и систем микроэлектроники и нанотехнологий. Впервые подробно описаны средства измерений, применяемые в условиях крупносерийного микроэлектронного производства, и приборы ведущих в их разработке и производстве фирм: Keithley, Tektronix, Agilent Technologies, LeCroy, R&S и др. Особое внимание уделено анализу и генерации тестовых сигналов, измерению их параметров в области малых и сверхмалых времен, измерению сверхмалых токов и напряжений, анализу импеданса и иммитанса цепей, измерениям статических и динамических характеристик полупроводниковых приборов и интегральных микросхем и др. Является самым крупным обзором современных зарубежных и отечественных измерительных приборов на рынке России и мира. Для инженеров, научных работников, аспирантов, преподавателей и студентов вузов и университетов технического и классического типов. УДК 621.3.049.77:621.3.08 ББК 32.844.1+31.221 Все права защищены. Любая часть этой книги не может быть воспроизведена в какой бы то ни было форме и какими бы то ни было средствами без письменного разрешения владельцев авторских прав. Материал, изложенный в данной книге, многократно проверен. Но поскольку вероятность технических ошибок все равно существует, издательство не может гарантировать абсолютную точность и правильность приводимых сведений. В связи с этим издательство не несет ответственности за возможные ошибки, связанные с использованием книги. © Афонский А. А. Дьяконов В. П., 2011 ISBN 978-5-94074-626-3 © Оформление, ДМК Пресс, 2011
СОДЕРЖАНИЕ Предисловие ................................................................................................................................13 Благодарности и адреса для переписки .....................................................................................15 1 Средства и объекты нанотехнологий ............................................................................16 1.1. Переход от микротехнологии к нанотехнологии ...............................................................16 1.1.1. От механических часов к микропроцессору ............................................................16 1.1.2. Закон Мура и падение 100-нм барьера.....................................................................19 1.2. Электронная и рентгеновская микроскопия ........................................................................19 1.2.1. Отличия электронной микроскопии от оптической ..................................................19 1.2.2. Типы электронных микроскопов .................................................................................21 1.2.3. Сферы применения электронных микроскопов ........................................................23 1.2.4. Рентгеноскопия интегральных микросхем .................................................................25 1.3. Компоненты интегральных микросхем ................................................................................27 1.3.1. Компоненты микросхем – пассивные и активные .....................................................27 1.3.2. Полевые транзисторы – кирпичики интегральных микросхем ................................27 1.3.3. Интегральные микромощные полевые транзисторы ................................................29 1.3.4. Терагерцовые полевые транзисторы..........................................................................30 1.3.5. Сверхскоростные гетеропереходные Si-Ge биполярные транзисторы ................. 33 1.3.6. Трехзатворные полевые транзисторы ........................................................................ 35 1.3.7. Нужны ли мощные транзисторы? ................................................................................ 38 1.4. Интегральные микросхемы ................................................................................................... 38 1.4.1. Типы интегральных микросхем .................................................................................... 38 1.4.2. Процесс изготовления интегральных микросхем .....................................................40 1.4.3. Микропроцессоры – от одноядерных к многоядерным ..........................................46 1.4.4. Парадоксы микроэлектронной технологии ...............................................................49 1.4.5. От алюминия к меди .....................................................................................................52 1.4.6. Фотолитография с ультракороткими лучами – прорыв в будущее .......................... 53 1.4.7. Тестирование и отладка микросхем ........................................................................... 55 1.4.8. Начало нанотехнологий в микроэлектронике ...........................................................57 1.5. Чудеса нанотехнологий ......................................................................................................... 58 1.5.1. Электромеханика на кремниевом кристалле (MEMS) ................................................ 58 1.5.2. Проекционный дисплей и гибкие экраны ..................................................................59 1.5.3. Нанотрубки ...................................................................................................................61 1.5.4. Подключение нанотрубок к МДП-микротранзистору ..............................................63
Содержание 4 1.5.5. Галлиевый «градусник» на углеродной нанотрубке ...................................................63 1.5.6. Твердотельная память вместо жестких дисков ...........................................................64 1.5.7. Нанотехнологии повышают мощность химических элементов ................................65 1.5.8. Нанороботы и наноавтомобили ..................................................................................66 1.5.9. Нанотехнологии в производстве новых материалов ................................................69 1.5.10. Полупроводниковые микролазеры ..........................................................................70 1.6. От фантастики к практике ......................................................................................................72 2 Измерения на постоянном токе .......................................................................................73 2.1. Основные компоненты электронных схем ..........................................................................73 2.1.1. Пассивные и активные компоненты (обзор) ..............................................................73 2.1.2. Источники напряжения и тока .....................................................................................74 2.1.3. Погрешность измерения постоянного напряжения ..................................................75 2.1.4. Измерения в произвольных цепях постоянного тока ................................................76 2.1.5. Резистивные компоненты (резисторы) .......................................................................77 2.1.6. Комплекс приборов для измерений в микроэлектронике и в нанотехнологиях ....78 2.2. Источники электропитания и их имитаторы ........................................................................80 2.2.1. Первичные и вторичные источники электропитания ................................................80 2.2.2. Имитаторы батарей ......................................................................................................81 2.2.3. Высоковольтные источники питания ........................................................................... 83 2.2.4. Высоковольтные источники питания/измерители ...................................................... 85 2.2.5. Электронные нагрузки .................................................................................................. 88 2.2.6. Калибраторы измерителей напряжения и тока ..........................................................91 2.3. Измерение параметров резистивных компонентов ...........................................................92 2.3.1. Измерение резистивности и проводимости .............................................................92 2.3.2. Измерители больших и малых сопротивлений ..........................................................95 2.3.3. Методы измерения удельного сопротивления и типа полупроводников ................98 2.3.4. Измеритель удельного сопротивления полупроводников ПИЛЛАР-1У............... 100 2.3.5. Комплекс измерения больших удельных сопротивлений Keithley 65 ....................101 2.3.6. Электрометр и измеритель высокоомных сопротивлений Keithley 6517А...........102 2.3.7. Измерения экстремальных (высоких и низких) сопротивлений.............................104 2.3.8. Определение типа проводимости полупроводников ........................................... 106 2.4. Измерение сверхмалых постоянных токов и напряжений ...............................................107 2.4.1. Физические эффекты, ведущие к генерации сверхмалых токов и напряжений .....107 2.4.2. Методы измерения сверхмалых токов и напряжений ............................................ 109 2.4.3. Мультиметры с расширенными пределами измерения ..........................................112 2.4.4. Микровольтметры и нановольтметры .......................................................................123 2.4.5. Методы повышения точности измерений сверхмалых напряжений, токов и сопротивлений ...................................................................................................................126 2.4.6. Измерение температуры ...........................................................................................128 2.5. Аксессуары, опции и средства интеграции приборов ....................................................129 2.5.1. Выбор аксессуаров для измерительных приборов ................................................129 2.5.2. Опции для измерительных приборов .......................................................................130 2.5.3. Средства интеграции измерительных приборов ....................................................132 2.6. Анализатор/источник постоянных напряжений Agilent N6705A .....................................134 2.6.1. Назначение и конструкция прибора ........................................................................134 2.6.2. Отображаемая дисплеем информация ....................................................................135 2.6.3. Генератор испытательных сигналов ..........................................................................136 2.6.4. Применение прибора ...............................................................................................137
Содержание 3 Измерения на переменном токе ...................................................................................138 3.1. Основные параметры переменного напряжения и тока ..................................................138 3.1.1. Параметры синусоидального напряжения и тока ....................................................138 3.1.2. Истинное среднеквадратическое значение (True RMS) ..........................................140 3.1.3. Коэффициент нелинейных искажений (гармоник) ...................................................142 3.2. Измерение параметров переменного напряжения и тока ..............................................142 3.2.1. Принципы построения измерителей переменных токов и напряжений ...............142 3.2.2. Принципы построения измерителей с истинным среднеквадратическим значением ..............................................................................................................................143 3.2.3. Измерение переменных токов и напряжений мультиметрами ...............................146 3.2.4. Измерители коэффициента гармоник ......................................................................148 3.2.5. Измерители частоты, периода и фазы ......................................................................150 3.2.6. Профессиональные цифровые частотомеры фирмы Pendulum ............................152 3.2.7. Измерители мощности ВЧ- и СВЧ-сигналов .............................................................154 3.3. Параметры реактивных компонентов и цепей с ними ......................................................155 3.3.1. Идеальная индуктивность ...........................................................................................155 3.3.2. Идеальная емкость ......................................................................................................156 3.2.3. Иммитанс, адмитанс и импеданс цепей ...................................................................157 3.4. Измерение параметров реактивных компонентов ...........................................................158 3.4.1. Измерение емкости и индуктивности .......................................................................158 3.4.2. Общий обзор цифровых измерителей иммитанса и импеданса .......................... 160 3.4.3. Цифровой измеритель иммитанса E7-20 ..................................................................161 3.4.4. Малогабаритный измеритель иммитанса E7-25 .......................................................165 3.4.5. Работа с измерителем иммитанса E7-20 ..................................................................166 3.4.6. Широкодиапазонные RLC-измерители АКТАКОМ AM-3001, АМ-3018 и АМ-3026 .............................................................................................................................168 3.4.7. Лабораторные LCR-измерители компании Good Will .............................................171 3.4.8. Лабораторные LCR-измерители АКИП серии 61** .................................................173 3.4.9. Высокочастотные LCR-измерители фирмы WK .........................................................174 4 Измерительные генераторы сигналов .......................................................................178 4.1. Аналоговые генераторы синусоидальных сигналов .........................................................178 4.1.1. Основные типы аналоговых генераторов синусоидального напряжения .............178 4.1.2. Обобщенная схема аналогового генератора синусоидального напряжения ......179 4.1.3 RC-генераторы .............................................................................................................181 4.1.4. LC-генераторы синусоидального напряжения .........................................................182 4.1.5. Кварцевые резонаторы и генераторы......................................................................183 4.1.6. Эталонные генераторы синусоидального напряжения ...........................................186 4.1.7. LC-генераторы стандартных сигналов (ГСС) .............................................................187 4.2. Основы цифрового синтеза частоты и формы сигналов ..................................................188 4.2.1. Основные методы цифрового синтеза синусоидальных сигналов ........................188 4.2.2. Цифровой частотный синтез .....................................................................................188 4.2.3. Генераторы произвольных функций (AFG) ...............................................................189 4.2.4. Генераторы сигналов произвольной формы (AWG) ............................................... 190 4.2.5. Шум квантования у генераторов с цифровым синтезом формы сигналов ...........191 4.2.6. Фазовый шум генераторов ........................................................................................193
Содержание 6 4.3. ГСС с цифровым синтезом умеренной сложности ...........................................................194 4.3.1. Простые ВЧ- и СВЧ-генераторы с цифровым синтезом .........................................194 4.3.2. ГСС с цифровым синтезом фирмы Agilent Technologies ..........................................196 4.3.3. Генераторы синусоидальных сигналов фирмы ROHDE&SCHWARE ........................199 4.4. Векторные генераторы синусоидальных сигналов ...........................................................202 4.4.1. Векторное представление сигналов и цифровая модуляция ..................................202 4.4.2. Векторные генераторы фирмы Agilent Technologies ...............................................203 4.4.3. Векторные генераторы фирмы R&S .........................................................................204 4.4.4. Векторные генераторы фирмы Keithley ................................................................... 206 4.5. Импульсные сигналы и принципы их генерации ...............................................................208 4.5.1. Формы и параметры импульсов ................................................................................208 4.5.2. Спектр импульсных сигналов .....................................................................................210 4.5.3. Схемотехника импульсных генераторов ..................................................................212 4.5.4. Типичная функциональная схема генератора импульсов ........................................216 4.5.5. Отечественные серийные генераторы импульсов ..................................................217 4.5.6. Зарубежные промышленные генераторы импульсов .............................................222 4.6. Генераторы импульсов сверхмалой длительности ...........................................................223 4.6.1. Принципы генерации импульсов с субнаносекундным временем нарастания ......223 4.6.2. Генераторы импульсов с субнаносекундными фронтами ......................................224 4.6.3. Генераторы пикосекундных импульсов фирмы Picosecond Pulse Lab ...................226 4.7. Аналоговые функциональные генераторы ........................................................................228 4.7.1. Основные типы функциональных генераторов .......................................................228 4.7.2. Функциональные генераторы с интегратором на интегральном операционном усилителе ....................................................................................................229 4.7.3. Функциональные генераторы, управляемые напряжением или током ..................230 4.7.4. Микросхемы для аналоговых функциональных генераторов .................................231 4.7.5. Отечественные аналоговые функциональные генераторы .....................................232 4.7.6. Функциональные генераторы зарубежных фирм ....................................................234 4.8. Функциональные генераторы с цифровым синтезом выходных сигналов ......................237 4.8.1. Принципы построения функциональных генераторов с цифровым синтезом выходных сигналов .........................................................................237 4.8.2. Цифровые функциональные генераторы зарубежных фирм ..................................238 4.9. Генераторы серии AFG3000 компании Tektronix .............................................................243 4.9.1. Внешний вид и работа с генераторами серии AFG3000 .......................................243 4.9.2. Технические характеристики генераторов AFG3000 ............................................245 4.9.3. Работа с генератором AFG3000 ..............................................................................246 4.9.4. Основные возможности генераторов AFG3000 ...................................................248 4.9.5. Применение AFG3000 в роли ГКЧ и Q-метра .........................................................252 4.9.6. Применение AFG3000 в роли импульсного генератора .......................................254 4.10. Программное обеспечение генераторов AFG3000 .....................................................258 4.10.1. Назначение программы ArbExpress и ее интерфейс ...........................................258 4.10.2. Создание сигналов стандартных форм ..................................................................259 4.10.3. Настройка на типы приборов и работа с файлами .............................................. 260 4.10.4. Программирование формы сигналов ....................................................................262 4.10.5. Применение графического редактора формы сигналов .....................................266 4.10.6. Математические операции с сигналами ................................................................267 4.10.7. Построение сигнала по осциллограмме ...............................................................268 4.10.8. Управление генераторами от системы MATLAB ....................................................270 4.11. Программа NI Signal Express Tektronix Edition.................................................................272 4.11.1. Назначение программы ...........................................................................................272 4.11.2. Выбор и запуск программы .....................................................................................272
Содержание 4.11.3. Окно выбора инструмента (прибора) ...................................................................274 4.11.4. Работа с генератором серии AFG3000 .................................................................274 4.11.5. Дополнительные возможности программы ...........................................................275 4.12. Генераторы сигналов произвольной формы класса AWG ..............................................276 4.12.1. Сравнение генераторов класса AFG и AWG ..........................................................276 4.12.2. Генераторы серии AWG7000 .................................................................................277 4.12.3. Генераторы серии AWG5000 .................................................................................278 4.13. Генераторы цифровых сигналов произвольной формы (паттернов) ............................279 4.13.1. Функциональная схема генератора паттернов данных ........................................279 4.13.2. Генераторы цифровых сигналов Tektronix DG2020A ............................................280 4.13.3. Генераторы цифровых сигналов Tektronix DG5078/5274/DTG5334 .....................281 4.13.4. Генератор импульсов/паттернов серии 3400 фирмы Keithley .............................282 5 Современные электронные осциллографы ............................................................284 5.1. Закат аналоговой осциллографии .......................................................................................284 5.1.1. Основные типы электронных осциллографов .........................................................284 5.1.2. Достоинства и недостатки аналоговых осциллографов ..........................................285 5.1.3. Требования к усилителям осциллографов ................................................................287 5.1.4. Широкополосные аналоговые осциллографы AKTAKOM-IWATSU с обычной ЭЛТ ......................................................................................................................291 5.1.5. Широкополосные аналоговые осциллографы AKTAKOM-IWATSU со сканирующей ЭЛТ............................................................................................................292 5.2. Основы построения и работы цифровых запоминающих осциллографов ....................295 5.2.1. Блок-схема цифрового запоминающего осциллографа .........................................295 5.2.2. О выборе числа отсчетов, восстановлении и интерполяции сигналов .................297 5.2.3. Достоинства и недостатки цифровых запоминающих осциллографов .................299 5.3. «Бюджетные» цифровые запоминающие осциллографы .................................................301 5.3.1. Какие из цифровых осциллографов можно отнести к бюджетным ........................301 5.3.2. Массовые цифровые осциллографы юго-восточных фирм ....................................301 5.3.3. Массовые цифровые осциллографы фирмы RIGOL .................................................305 5.4. Цифровые осциллографы компании Tektronix ...................................................................306 5.4.1. Цифровые осциллографы фирмы Tektronix закрытой архитектуры .......................306 5.4.2. Цифровые осциллографы Tektronix с открытой архитектурой ...............................313 5.4.3. Технические новинки в осциллографах фирмы Tektronix .......................................319 5.5. Цифровые осциллографы фирмы LeCroy ...........................................................................325 5.5.1. Цифровые осциллографы LeCroy с полосой до 500 МГц .......................................325 5.5.2. Цифровые осциллографы LeCroy среднего класса ................................................328 5.5.3. Цифровые осциллографы LeCroy высшего класса ..................................................330 5.6. Цифровые осциллографы фирмы Agilent Technologies ....................................................336 5.6.1. «Бюджетные» цифровые осциллографы фирмы Agilent ..........................................336 5.6.2. Цифровые осциллографы фирмы Agilent Technologies среднего класса ..............337 5.6.3. Цифровые осциллографы фирмы Agilent Technologies высшего класса ...............340 5.7. Стробоскопические осциллографы ...................................................................................345 5.7.1. Принципы построения стробоскопических осциллографов .................................345 5.7.2. Генераторы стробирующих импульсов ....................................................................346 5.7.3. Устройства выборки сигналов ...................................................................................347 5.7.4. Отечественные стробоскопические осциллографы ...............................................348 5.7.5. Cтробоскопический осциллограф ПК С1-24 ...........................................................350 5.7.6. Стробоскопические осциллографы серии Wave Expert с полосой до 100 ГГц .....352
Содержание 8 6 Искусство осциллографии .................................................................................................354 6.1. Аксессуары осциллографов и их применение .................................................................354 6.1.1. Назначение пробников..............................................................................................354 6.1.2. Пробники на основе компенсированного делителя .............................................. 355 6.1.3. Высоковольтные пробники ........................................................................................ 358 6.1.4. Пробники с коррекцией частотной характеристики ..............................................359 6.1.5. Учет параметров пробников .....................................................................................361 6.1.6. Подключение пробников к источникам сигналов ...................................................364 6.1.7. Эволюция конструкции осциллографических пробников ......................................365 6.1.8. Пробники с оптической развязкой ...........................................................................366 6.1.9. Токовые пробники ......................................................................................................367 6.1.10. Новейшие пробники Tektronix класса TekConnectTM и TekVPITM ...........................369 6.2. Согласованные широкополосные устройства ..................................................................371 6.2.1. Согласованные пассивные пробники и кабели .......................................................371 6.2.2. О выборе входного сопротивления у осциллографов ...........................................371 6.2.3. Коаксиальные аттенюаторы, переходники и тройники ...........................................374 6.3. Активные осциллографические пробники ........................................................................375 6.3.1. Назначение современных активных пробников ......................................................375 6.3.2. Широкополосные активные пробники.....................................................................377 6.3.3. Дифференциальные пробники ..................................................................................380 6.3.4. Конфигурация измерительной головки пробников .................................................381 6.3.5. Сверхширокополосные дифференциальные пробники ......................................... 383 6.4. Специальные устройства подключения и фиксации пробников ...................................... 385 6.4.1. Применение для подключения пробников механических манипуляторов ........... 385 6.4.2. Станция 2020H/V фирмы Probing Solution, Inc. ....................................................... 385 6.5. Импульсная рефлектоскопия и рефлетометрия ................................................................386 6.5.1. Основные положения импульсной рефлектометрии ..............................................386 6.5.2. Расшифровка рефлектограмм ...................................................................................387 6.5.3. Цифровой осциллограф в роли рефлектометра ..................................................... 388 6.6. Спектральный анализ с помощью цифровых осциллографов .........................................389 6.6.1. Основы оконного спектрального анализа ...............................................................389 6.6.2. Выбор окна при спектральном анализе ...................................................................391 6.6.3. Спектральный анализ у простых осциллографов .....................................................392 6.6.4. Спектральный анализ у осциллографов DPO 4000 .................................................395 6.6.5. Спектральный анализ у осциллографов TDS 5000 .................................................. 400 6.6.6. Спектральный анализ у осциллографов DPO 7000 .................................................401 6.6.7. Спектральный анализа у осциллографов других фирм ...........................................403 6.7. Другие возможности современных осциллографов .......................................................405 6.7.1. Режимы выборок и пик-детектор ..............................................................................405 6.7.2. Опорные осциллограммы ........................................................................................ 406 6.7.3. Расчетные осциллограммы и математический редактор ........................................407 6.7.4. Глазковые диаграммы .................................................................................................408 6.8. Применение системы MATLAB ...........................................................................................410 6.8.1. Компьютерная математика в измерительной технике .............................................410 6.8.2. Подключение к ПК цифрового осциллографа .........................................................412 6.8.3. Стыковка цифрового осциллографа с системой MATLAB .......................................412 6.8.4. Программа ввода в MATLAB осциллограмм двух каналов ......................................418 6.9. Математические операции с сигналами ............................................................................420 6.9.1. Математические операции с сигналами двух каналов ............................................420
Содержание 6.9.2. Очистка осциллограммы от шума .............................................................................422 6.10. Спектральный анализ реальных осциллограмм в MATLAB .............................................423 6.10.1. Фурье-преобразование и периодограммы для реальных осциллограмм .......... 423 6.10.2. MATLAB-инструмент спектрального анализа SPTool .............................................425 6.10.3. Построение спектра в MATLAB различными методами .......................................426 6.10.4. Оценка в MATLAB спектра реальных сигналов в виде пачек ................................429 6.11. Вейвлет-анализ реальных осциллограмм в MATLAB .......................................................432 6.11.1. Вейвлеты против рядов Фурье ................................................................................432 6.11.2. Вейвлет-анализ осциллограмм ................................................................................433 6.11.3. GUI-средства для работы с вейвлетами .................................................................435 7 Анализаторы сигналов, спектра и цепей ..................................................................438 7.1. Введение в осциллографические анализаторы .................................................................438 7.1.1. Обобщенная схема анализа электронных устройств .............................................438 7.1.2. Основные типы осциллографических анализаторов ..............................................440 7.2. Гетеродинные и векторные анализаторы спектра ............................................................440 7.2.1. Принципы построения гетеродинных анализаторов спектра ................................440 7.2.2. Следящий (трекинг-) генератор ................................................................................442 7.2.3. Основные типы детекторов в анализаторах спектра ..............................................443 7.2.4. Шум анализаторов спектра .......................................................................................445 7.2.5. Динамические искажения АЧХ УПЧ ..........................................................................446 7.2.6. Основные установки в анализаторах спектра .........................................................447 7.2.7. Гетеродинный анализатор спектра АКС-1100/1101 ...............................................449 7.2.8. Функциональная схема современного цифрового анализатора спектра .............452 7.2.9. Векторные анализаторы спектра...............................................................................453 7.3. Серийные цифровые анализаторы спектра .......................................................................454 7.3.1. Анализаторы спектра СК-4 Белан..............................................................................454 7.3.2. Анализатора спектра СК4-Белан 32 ..........................................................................455 7.3.3. Анализаторы спектра AKTAKOM AKC-1301/1601 ...................................................458 7.3.4. Анализаторы спектра фирмы Nex1 .......................................................................... 460 7.3.5. Анализаторы спектра фирмы LSA .............................................................................461 7.3.6. Анализаторы спектра фирмы Agilent Technologies ..................................................462 7.3.7. Анализаторы спектра фирмы ROHDE&SCHWARZ ....................................................466 7.3.8. Анализаторы спектра фирмы Good Will GSP-810/827/9830 ..................................473 7.3.9. Анализаторы спектра АКИП-4201/4202 ..................................................................478 7.3.10. Работа с цифровым анализатором спектра ...........................................................480 7.4. Анализаторы спектра реального времени .......................................................................486 7.4.1. Назначение анализаторов спектра реального времени .........................................486 7.4.2. Функциональная схема и работа анализатора спектра реального времени ........487 7.4.3. Цифровое преобразование сигналов в анализаторах спектра реального времени ..............................................................................................................490 7.4.4. Синхронизация анализаторов спектра реального времени ...................................492 7.4.5. Основные способы представления результатов анализа .......................................494 7.4.6. Анализаторы спектра реального времени RSA2200/3000 ....................................499 7.4.7. Анализаторы спектра реального времени RSA3300B/3408B ................................500 7.4.8. Анализаторы радиочастотного спектра серии RSA6100 .......................................502 7.5. Примеры работы с анализатором Tektronix RSA 6114A ..................................................508 7.5.1. Экран анализатора спектра Tektronix RSA 6114A ....................................................508 7.5.2. Применение маркеров ..............................................................................................509
Содержание 10 7.5.3. Контроль спектра близких к идеальным импульсных сигналов ...............................510 7.5.4. Исследование спектров модулированных сигналов ...............................................513 7.5.5. Исследование спектра сигналов с частотной модуляцией (FM) .............................515 7.5.6. Исследование спектра сигналов с фазовой модуляцией (ФМ) ..............................516 7.5.7. Исследование спектра УКВ-диапазона .....................................................................516 7.6. Анализаторы сигналов и источников сигналов .................................................................519 7.6.1. Методы измерения фазового шума ..........................................................................519 7.6.2. Системы параметров для радиочастотных цепей ...................................................520 7.6.3. Измерительный приемник фирмы R&S FMSR ............................................................521 7.6.4. Анализатор источников сигналов фирмы R&S FSUP ................................................522 7.6.5. Радиочастотные векторные анализаторы сигналов Keithley 2810/2820................523 7.7. Векторные и скалярные анализаторы цепей......................................................................525 7.7.1. Особенности анализаторов цепей ...........................................................................525 7.7.2. Анализаторы четырехполюсников ............................................................................526 7.7.3. Многопортовые векторные анализаторы цепей ......................................................529 7.8. Аксессуары для анализаторов спектра ..............................................................................534 7.8.1. Антенны для анализаторов спектра и электромагнитного поля .............................534 7.8.2. Пробник-переходник RTPA2A для анализаторов спектра реального времени .....534 7.8.3. Внешние смесители широкополосных анализаторов спектра ............................... 535 8 Последовательные и логические анализаторы, осциллографы смешанных сигналов .............................................................................................................537 8.1. Последовательные анализаторы сигналов .........................................................................537 8.1.1. Требования к последовательным анализаторам телекоммуникационных сигналов .................................................................................................................................537 8.1.2. Последовательные анализаторы Tektronix DSA70000 ........................................... 538 8.1.3. Цифровой последовательный анализатор Tektronix DSA8200 ...............................539 8.1.4. Последовательные анализаторы реального времени LeCroy SDA 18000/10000/9000 .............................................................................................................540 8.1.5. Последовательные анализаторы реального времени LeCroy SDA 800Zi ..............544 8.1.6. Последовательные анализаторы фирмы Agilent ......................................................544 8.2. Анализ логических состояний .............................................................................................547 8.2.1. Назначение логических анализаторов ......................................................................547 8.2.2. Функциональная схема логического анализатора ...................................................550 8.2.3. Этапы работы с логическим анализатором ..............................................................550 8.2.4. Запуск логического анализатора и синхронизация .................................................551 8.2.5. Синхронный и асинхронный режимы сбора данных ..............................................552 8.2.6. Глитчи в цифровой аппаратуре и проблема их обнаружения ................................552 8.3. Современные логические анализаторы ............................................................................. 553 8.3.1. Логические анализаторы фирмы Agilent Technologies ............................................ 553 8.3.2. Логические анализаторы фирмы Tektronix серий TLA 700 и 600 .......................... 555 8.3.3. Логические анализаторы фирмы Tektronix серии TLA 5000 ...................................556 8.3.4. Логические анализаторы серии LA фирмы Leaptronix ............................................ 558 8.3.5. Логические анализаторы фирмы Hewlett Packard ...................................................559 8.4. Осциллографы смешанных сигналов .................................................................................560 8.4.1. Назначение осциллографов смешанных сигналов ..................................................560 8.4.2. Осциллографы смешанных сигналов фирмы Agilent Technologies .........................560 8.4.3. Осциллографы смешанных сигналов фирмы Tektronix ............................................562
Содержание 8.4.4. Осциллографы смешанных сигналов фирмы RIGOL ................................................566 8.4.5. Применение осциллографов фирмы LeCroy с опциями логического анализатора ...........................................................................................................................570 8.5. Подключение логических анализаторов к испытуемому устройству ..............................572 8.5.1. Логические пробники общего назначения ..............................................................572 8.5.2. Высокоплотные многоканальные пробники .............................................................573 9 Исследование полупроводниковых приборов и интегральных микросхем ...................................................................................................................................577 9.1. Основы измерения статических параметров полупроводниковых приборов ..............577 9.1.1. Типы тестируемых полупроводниковых приборов .................................................577 9.1.2. Измерительная схема тестирования диодов ...........................................................578 9.1.3. Измерительная схема тестирования транзисторов и микросхем .........................579 9.1.4. Коммутация измерительных приборов ...................................................................580 9.1.5. Типичный объект тестирования нанотехнологий – нанодиод ................................581 9.2. Источники/измерители фирмы Keithley для тестирования полупроводниковых приборов и микросхем ..............................................................................................................582 9.2.1. Линейные источники/измерители серии 2400 .......................................................582 9.2.2. Многоканальные системные источники/измерители серии 2600 ......................... 583 9.2.3. Контроль диодов с помощью источников/измерителей серии 2600 ................... 585 9.2.4. Контроль микросхем с помощью источников/измерителей серии 2600 ............586 9.2.5. Характериограф 4200-SCS ........................................................................................587 9.2.6. Примеры работы с характериографом 4200-SCS ..................................................590 9.3. Снятие характеристик полевых транзисторов ...................................................................591 9.3.1. Вольт-амперные характеристики полевых транзисторов .......................................591 9.3.2. Дифференциальные параметры полевых транзисторов ........................................593 9.3.4. Исследование полевых транзисторов с помощью характериографа ...................595 9.4. Анализатор/характериограф силовых полупроводниковых приборов Agilent B1501A ............................................................................................................................597 9.4.1. Назначение и внешний вид анализатора Agilint B1501A ........................................597 9.4.2. Примеры снятия характеристик мощного высоковольтного МДП-транзистора .....598 9.5. Измерение радиочастотных параметров полупроводниковых приборов и микросхем 598 9.5.1. Измерение радиочастотных параметров цифровыми осциллографами ..............598 9.5.2. Измерение радиочастотных параметров с помощью генераторов и анализаторов спектров, сигналов и цепей ..................................................................... 600 9.5.3. Комплекс измерения радиочастотных параметров фирмы Keithley ..................... 600 9.5.4. Система параметрического контроля радиочастотных параметров микросхем S600 .................................................................................................................. 602 9.6. Измерение дифференциальных параметров ....................................................................603 9.6.1. Определение дифференциальных параметров ......................................................603 9.6.2. Негатроны – приборы с отрицательной проводимостью и сопротивлением .....603 9.6.3. Методы измерения и построения N- и S-образных ВАХ ....................................... 606 9.7. Измерения временных параметров полупроводниковых приборов .............................608 9.7.1. Физические процессы при переключении диодов ................................................608 9.7.2. Платы расширения для измерения временных параметров фирмы Keithley ....... 609 9.7.3. Измерение времен переключения биполярных транзисторов .............................612 9.7.4. Измерение параметров МДП-транзисторов во временной области ...................614
Содержание 12 9.7.5. Измерение времен переключения арсенид-галлиевых транзисторов .................617 9.7.6. Измерение времени переключения туннельных диодов .......................................618 9.7.7. Измерение времени переключения лавинных транзисторов ................................622 9.8. Тестирование интегральных микросхем ............................................................................627 9.8.1. Сверхскоростные интегральные микросхемы как объекты тестирования ...........627 9.8.2. Тестирование интегральных компараторов .............................................................632 9.8.3. Тестирование интегральных усилителей ..................................................................634 9.8.4. Контроль индикаторной панели ................................................................................634 10 Измерение параметров оптико-электронных приборов ..............................636 10.1. Типы, конструктивные особенности и назначение оптико-электронных приборов ......636 10.1.1. Типы полупроводниковых оптико-электронных приборов ..................................636 10.1.2. Конструкция и характеристики обычных светодиодов ........................................637 10.1.3. Конструкция и характеристики лазерных светодиодов ....................................... 640 10.1.4. Лазерная головка для считывания информации с оптических дисков .................641 10.1.5. Конструкция и характеристики фотоприемников .................................................643 10.2. Тестирование излучателей светового излучения ............................................................644 10.2.1. Интегрирующая сфера 2500INT фирмы Keithley ..................................................644 10.2.2. Построение системы тестирования излучателей света ........................................646 10.2.3. Источники/измерители серии 2400 для IV тестирования оптоэлектронных приборов ..............................................................................................................................648 10.3. Тестирование импульсных лазерных излучателей ...........................................................650 10.3.1. Интегрирующая сфера для импульсных лазерных излучателей 2520INT ...............650 10.3.2. Система тестирования импульсных лазерных излучателей 2520 .........................651 10.4. Тестирование фотодиодов и фототранзисторов ............................................................653 10.4.1. Снятие статических характеристик фотодиодов и фототранзисторов ...............653 10.4.2. Многоканальная I-V система тестирования 4500-MTS ..........................................654 10.4.3. Двухканальный пикоамперметр серии 2502 для фотодиодных измерений.......655 10.4.4. Системные источники/измерители 2602/2612 для LIV тестирования .................656 10.5. Исследование высокоскоростных излучателей и приемников света ...........................657 10.5.1. Особенности динамики излучения высокоскоростных лазерных диодов .........657 10.5.2. Установка для изучения динамики излучения высокоскоростных лазерных диодов ...................................................................................................................................658 10.5.3. Наблюдение эффекта обострения фронта импульса лазерного излучения ........659 10.5.4. Запуск мощных лазерных диодов и лазерных решеток ........................................661 10.5.5. Импульсные генераторы и оптические модули фирмы DEI ..................................664 10.5.6. Испытание сверхскоростных светодиодов и фотоприемников ......................... 666 10.6. Испытание световолоконных кабелей и линий передачи..............................................668 10.6.1. Конструкция и параметры световодов световолоконных кабелей .....................668 10.6.2. Оптическая рефлектометрия ................................................................................. 669 10.6.3. Оптические мини-рефлекторы ...............................................................................671 10.7. Основы электронно-лазерной осциллографии ..............................................................673 10.7.1. Преобразования сверхкоротких импульсов лазерного излучения .....................673 10.7.2. Методы исследования импульсов лазерного излучения пико- и фемтосекундного диапазона ............................................................................................675 10.7.3. Оптоэлектронный стробоскопический осциллограф ..........................................677 ЛИТЕРАТУРА ................................................................................................................................679
Предисловие Нанотехнологии – это технологии, в ходе изготовления устройств которых приходится оперировать объектами, размеры которых не превышают 100 нм (1 нм = = 10–9 м). Это очень малая величина, сравнимая с размерами молекул и даже атомов. Материалы, создаваемые с помощью нанотехнологий, нередко отличаются особыми, подчас уникальными свойствами, которые могут найти широкое применение в нашей повседневной жизни. Их нужно измерять и контролировать. Многие думают, что сидящий за электронным микроскопом человек, ухитря ющийся из атомов собрать молекулу неизвестного вещества или робот из отдельных атомов, – это и есть «нанотехнолог». Увы, это наивное заблуждение. Скорее всего, этот человек – ученый и исследователь, и надо очень многое сделать, чтобы нанотехнологии были массовыми и на месте ученого оказался технолог, инженер или рабочий. Надо научиться создавать самоорганизующиеся или искусственно организованные процессы, происходящие на атомно-молекулярном уровне, позволяющие готовить объекты нанотехнологий в промышленных, а не единичных масштабах. При этом исключительно велика роль нужного инструментария, в том числе измерительного. Между тем оказывается, что мы уже свыше десятка лет широко пользуемся вполне реальными достижениями нанотехнологий. Они находятся в сфере производства полупроводниковых приборов и микроэлектроники, которая в последние годы стала наноэлектроникой [1–14]. Вот уже несколько лет, как в микроэлектронике используется технология с разрешением менее 100 нм, а микросхемы с таким разрешением (микропроцессоры, видеопроцессоры, устройства памяти и др.) выпускаются в массовых количествах. Они используются в настольных, мобильных и карманных компьютерах, сотовых телефонах, системах беспроводной связи, плеерах и рекордерах и т. д. Многие из этих массовых изделий построены на монолитных интегральных микросхемах высокой степени интеграции (СБИС), геометрическое разрешение производственных процессов у которых уже в наши дни составляет 30–45 нм. Чем меньше размеры изделий нанотехнологий, тем выше требования к диа пазону измеряемых параметров таких изделий. Нужно измерять меньшие токи и напряжения, распознавать слабые сигналы, излучаемые нередко отдельными молекулами и атомами различных материалов, оценивать их спектры и т. д. Эти
Предисловие 14 сигналы и спектры охватывают уже диапазоны милимметровых волн и частоты в десятки и сотни гигагерц. Все это требует разработки нового измерительного оборудования, новых измерительных приборов и новых измерительных систем. Итак, чтобы нанотехнологии и их достижения были реализованы в наиболее короткие сроки и были максимально эффективны, необходимо обеспечить нанотехнологии и создаваемые с их помощью объекты, системы и устройства современной метрологической и инструментальной базой. Разумеется, в ее создании уже сделано очень много, и в современном микро- и наноэлектронном производстве используется весь арсенал как давно известных [15–18, 119], так и самых современных [19–20, 31–118] электро- и радиоизмерительных приборов. Но их так много, что инженеры, преподаватели, студенты университетов и научные работники испытывают острую нехватку в литературе по этому арсеналу приборов, тем более в связи с его ориентацией на такую новейшую область науки и техники, как нанотехнологии и микроэлектроника. Эта книга продолжает серию книг авторов [19–22] по современным электро- и радиоизмерительным приборам. Но, в отличие от уже вышедших книг, в ней: • дано достаточно подробное описание продукции компании Keithley, произ водящей множество приборов для микроэлектроники и нанотехнологий; • детально описаны методы измерения поверхностного и объемного сопро тивлений полупроводниковых и иных материалов и методики определения типа их проводимости; • описана современная техника измерения сверхмалых (вплоть до фемтоам пер) токов и напряжений (до пиковольт) и современные приборы для их измерений; • детально описана техника высокоточного измерения параметров компо нентов R, L и C, иммитанса и импеданса цепей, причем особое внимание уделено приборам, измеряющим экстремальные значения этих параметров, например сверхмалые и сверхбольшие сопротивления, сверхмалые емкости и индуктивности; • дано описание новейших измерителей импеданса и иммитанса, а также но вого поколения измерительных приборов – анализаторов цепей, сигналов и источников питания; • дан достаточно полный обзор продукции таких крупных фирм, как Tektro nix, LeCroy, Agilent Technologies, R&S, и их новейших разработок в области цифровых осциллографов, генераторов различного типа, анализаторов спектра реального времени и скоростных цифровых генераторов произвольных сигналов; • особое внимание уделено технике эксперимента со сверхмалыми по раз мерам объектами, такими как нанотрубки, интегральные микродиоды и микротранзисторы, интегральные микросхемы и полупроводниковые приборы; • достаточно подробно описана техника генерации импульсов нано-, субна но- и даже пикосекундных импульсов с рекордными параметрами по минимальной длительности и максимальной амплитуде импульсов;
Предисловие • описана современная рефлектометрия, в том числе оптическая, а также цифровые рефлектометры и оптические мини-рефлекторы; • большое внимание уделено описанию измерительных приборов, использу емых в современном производстве полупроводниковых приборов и интегральных микросхем, в частности приборов и систем, лидирующих в этом секторе рынка; • описана новейшая техника компьютерного анализа тонких особенностей временных зависимостей реальных осциллограмм с применением расширенных методов спектрального и вейвлет-анализа с помощью систем компьютерной математики; • описаны особенности тестирования объектов малой электроэнергетики: пер вичных источников электропитания, вторичных источников с импульсным и резонансным методами преобразования электрической энергии, электронных балластов для люминесцентных ламп и корректоров мощности. Теоретическая часть книги дана в минимально необходимом объеме, но доста точном для понимания сути описываемых в книге принципов функционирования измерительных приборов. Книга сопровождается более чем 770 иллюстрациями, многие из которых, естественно, взяты из технической документации, обзоров, каталогов и фирменных CD-ROM по описанным в книге измерительным приборам. Некоторые из таких материалов даны «как они есть», с тем чтобы сохранить фирменную специфику обозначений и облегчить понимание иллюстраций и спецификаций из упомянутых источников, которые не вошли в данную книгу. Разумеется, большинство описанных в книге приборов и методов измерений применимо не только для измерений в области нанотехнологий и микроэлектроники, но и во многих других областях науки, техники и образования. Поэтому книга наверняка заинтересует очень многих читателей в различных областях науки, техники и образования. Будучи монографией, книга является самым крупным обзором современных зарубежных и отечественных электронных измерительных приборов, имеющихся на рынке России и мира. Она может служить кратким справочником по таким приборам. Книга предназначена для инженеров, научных работников, аспирантов, преподавателей и студентов вузов и университетов технического и классического типов. Благодарности и адреса для переписки Авторы благодарят фирмы Intel, Keithley, Tektronix, Agilent Technologies, R&S и др., а также их представительства в России за любезно предоставленную (в том числе в Интернете и на CD-ROM) информацию по их продукции, которая легла в основу материала данной книги. Авторы признательны читателям за их отзывы по данной книге и пожелания по ее улучшению. Отзывы по книге можно направлять по адресам электронной почты авторов (aa-afonski@mail.ru и vpdyak@yandex.ru), а также по адресу издательства, выпустившего книгу.
Средства и объекты нанотехнологий 1 Нанотехнологии – это средства, позволяющие получать в массовом количестве объекты, имеющие характеристические размеры менее 0,1 мкм (или 100 нм), а также создавать различные материалы и приборы на основе таких объектов. Одними из первых массовых устройств на основе нанотехнологий стали интегральные микросхемы, создаваемые с геометрическим разрешением менее 100 нм, такие как микросхемы памяти и микропроцессоры. В этой главе описаны основные средства и объекты нанотехнологий. Особое внимание уделено средствам, относящимся к микроэлектронике и позволяющим оценить параметры электро- и радиоизмерительных приборов, нужных для исследования и тестирования объектов нанотехнологий. 1.1. Переход от микротехнологии к нанотехнологии 1.1.1. От механических часов к микропроцессору В жизни людей одними из первых миниатюрных устройств широкого применения стали механические часы. В первых таких часах некоторые механические детали имели размеры порядка долей миллиметра (1 мм = 1·10–3 м), а точность их обработки достигала нескольких десятков микрон (1 мкм = 1·10–6 м). Детали часов были настолько миниатюрны, что для работы с ними человек был вынужден обратиться к простейшим оптическим приборам – изображение часового мастера с закрепленной перед глазом лупой стало характерным для представителей этого класса ремесленников. Микротехнологии нашли широкое применение в химической промышленно сти, например для создания мелкодисперсионных порошковых материалов, фильтров для очистки растворов и воды, композитных материалов и т. д. Чем меньше размеры частичек порошковых материалов, тем большим числом уникальных физических свойств они обладают. Композитные материалы на основе таких порош
Переход от микротехнологии к нанотехнологии ков могут иметь вес в несколько раз меньше, чем у изделий из высококачественной стали, и в несколько раз большую прочность. Это обусловливает перспективы их применения в автомобильной и авиационной промышленности, в космосе и в конечном счете в быту. Огромные средства, затрачиваемые промышленно развитыми странами на раз витие нанотехнологий, говорят о том, что на эти технологии возлагаются очень большие надежды. В том числе на их применение в практике. При этом до сих пор нет точного определения того, что это за технологии и чем они отличаются от обычных технологий создания миниатюрных объектов, например таких, как интегральные микросхемы (чипы) и тонкодисперсные порошковые материалы. Единственное, что мы точно знаем, – то, что объекты нанотехнологий долж ны иметь малые геометрические размеры. Напомним, что 1 нанометр (нм) равен 1·10–9 м, или 1·10–3 мкм. Тысячная доля от микрона – это очень малая величина, а потому практически к нанотехнологиям относят такие технологии, которые позволяют создавать объекты, хотя бы один из характеристических размеров которых меньше 100 нм. Технологии, позволяющие создавать объекты с несколько большими размерами, правомерно называть микротехнологиями. Нанотехнологии позволяют создавать объекты с субмикронными размерами. Существует мнение (в определенной степени верное) о том, что к нанотехно логиям следует относить и устройства, работа которых во временной области характеризуется временами порядка единиц-десятков наносекунд (1 нс = 1·10–9 с) и меньше. В частотной области это соответствует устройствам, генерирующим колебания с частотами примерно от 1 ГГц (1 ГГц = 1·109 Гц) и выше – до сотен гигагерц. Для разработок таких устройств нужны генераторы и электронные осциллографы, работающие в этом диапазоне времен и частот. Выдающуюся роль в познании тайн материи и в создании миниатюрных устройств сыграли оптические микроскопы. Они обеспечили увеличение разрешения (и уменьшение видимых размеров наблюдаемых объектов) примерно до 1000 раз и несколько выше. Впрочем, увеличение свыше 1000 раз уже не позволяет наблюдать новые особенности объектов, поскольку с ростом увеличения наблюдается характерное ухудшение фокусировки изображения – извечная проблема неопределенности в квантовой механике. Глаз человека имеет разрешение в 0,1 мм (10–4 м), а хороший оптический микроскоп увеличивает его до 0,1 мкм (100 нм). Вот почему это разрешение считается предельным для обычной фотолитографии, широко применяемой в микроэлектронике [1]. Пожалуй, наиболее известными массовыми изделиями микротехнологий яв ляются технологии современной микроэлектроники. У первых микросхем разрешение составляло несколько микрон. На фотографии поверхности первого микропроцессора 4004 корпорации Intel при увеличении оптическим микроскопом в десятки раз (рис. 1.1) можно отчетливо наблюдать отдельные проводники и группы отдельных компонентов. На кристалле размером с ноготь размещено около 2400 транзисторов. Однако субмикронными размерами характеризуются и многие вполне обыч ные полупроводниковые приборы. К примеру, толщина базы у обычного СВЧ
Средства и объекты нанотехнологий 18 Рис. 1.1. Фотография поверхности первого микропроцессора 4004 корпорации Intel при увеличении оптическим микроскопом в десятки раз
биполярного транзистора составляет доли микрометра. Еще меньше толщина диэлектрика у полевых транзисторов с изолированным затвором. 1.1.2. Закон Мура и падение 100-нм барьера Успехи в технологии производства интегральных микросхем компании Intel (это ведущая компания в области микроэлектроники [1]) привели к тому, что примерно каждые 1,5 года число транзисторов на кристалле возрастало вдвое. Эту простую и эмпирическую закономерность подметил один из основателей корпорации Intel Гордон Мур, и вот уже свыше четырех десятилетий Intel старается придерживаться «закона Мура» [141–148]. В основном это достигается постоянным ростом разрешения технологии интегральных микросхем – разрешение выросло от единиц микрон до десятков нанометров. На микрофотографии вполне современного микропроцессора Pentium IV уже невозможно разглядеть ни отдельных проводников, ни отдельных транзисторов (рис. 1.2). Еще бы – их число выросло примерно до 100 миллионов, а разрешение достигло 110 нм и даже 90 нм. Разрешение оптических средств, использовавшихся в производстве интеграль ных микросхем, уже давно составляет около 100 нм и менее. Оно характерно и для оптических микроскопов, дающих увеличение до 1000 раз. Вот почему вплоть до конца ушедшего века было много разговоров о кризисе в микроэлектронике из-за наличия «фундаментального» барьера в разрешении фотолитографии. Но недавно, уже в начавшемся XXI веке, разрешение интегральных микросхем достигло заветной границы в 100 нм и довольно спокойно преодолело ее. Это стало возможным после перехода на фотолитографию в жестких (коротких) лучах, например рентгеновских, что передвинуло эту границу разрешения на порядок. Нынешние интегральные микросхемы, например корпорации Intel, уже делаются по технологии с разрешением 45 и 35 нм, а опытные образцы микросхем есть с разрешением в 15–18 нм. Таким образом, микроэлектроника по существу стала наноэлектроникой. И первой по-настоящему массовой областью применения нанотехнологий. 1.2. Электронная и рентгеновская микроскопия 1.2.1. Отличия электронной микроскопии от оптической Как уже отмечалось, обычные оптические микроскопы имеют барьер геометрического разрешения около 100 нм, то есть имеют ограниченное применение в части исследования структуры материалов в объектах нанотехнологии. Они позволяют просматривать многие виды молекул различных веществ и материалов и детали их молекулярного строения. Очень широко применяются оптические микроскопы в биологии, например для наблюдения микробов, бактерий, вирусов и про Электронная и рентгеновская микроскопия
Средства и объекты нанотехнологий 20 чих микроскопических живых существ, а также строения организмов и растений. Важным их достоинством является возможность наблюдения живых микроорганизмов в обычных для них условиях. Новым успехам в области теоретической и экспериментальной физики мы обязаны открытию электрона и его свойств. Это привело к созданию основ электронной оптики (ЭОП). Прямым намеком на такую возможность явилась гипотеза Рис. 1.2. Микрофотография микропроцессора Pentium IV