Диффузионная кинетика кластеризации точечных дефектов
Покупка
Основная коллекция
Тематика:
Физика
Издательство:
Удмуртский Государственный университет
Год издания: 2005
Кол-во страниц: 12
Дополнительно
Доступ онлайн
от 49 ₽
В корзину
Скопировать запись
Фрагмент текстового слоя документа размещен для индексирующих роботов.
Для полноценной работы с документом, пожалуйста, перейдите в
ридер.
ВЕСТНИК УДМУРТСКОГО УНИВЕРСИТЕТА ФИЗИКА 2005. №4 УДК 539.219.3 А. C. Алалыкин, П. Н. Крылов, А. Б. Федотов ДИФФУЗИОННАЯ КИНЕТИКА КЛАСТЕРИЗАЦИИ ТОЧЕЧНЫХ ДЕФЕКТОВ Проведен теоретический анализ кластеризации точечных дефектов в условиях диффузии с учетом упругого взаимодействия точечных дефектов и дислокаций. Приведены аналитические выражения эффективных сечений и скоростей комплексообразования ди- и тривакансий. Определены выражения для сечения и скорости захвата вакансий и дивакансий дислокациями. Ключевые слова: точечные дефекты, упругое взаимодействие, кластеризация, эффективные сечения, скорость образования комплекса. Введение Известно [1], что скорости реакций образования и распада дефектных комплексов в полупроводниках зависят как от температуры, так и от зарядовых состояний электрически активных компонентов реакции. В ряде работ [2] обращалось внимание на тот факт, что дефекты - участники квазихимических реакций в полупроводниках, как правило, электрически заряжены, что не может не сказаться на скоростях прямых и обратных реакций и, следовательно, на концентрациях тех или иных типов комплексов. При расчете скоростей реакций радиационного комплексообразования влияние зарядовых состояний начальных компонентов реакции учитывалось через добавку кулоновского и деформационного барьеров к барьеру реакции. Между тем при расчете скоростей реакций большинство ученых исходят из термодинамики процесса. В данной работе рассматривается комплексообразование точечных дефектов в условиях диффузии точечных дефектов с учетом их упругого взаимодействия. Однако способ, описанный в настоящей работе, может быть применен и при добавлении кулоновского взаимодействия точечных дефектов. 1. Кинетические коэффициенты упругого взаимодействия точечных дефектов Рассмотрим реакцию образования двойных и тройных комплексов однотипных точечных дефектов (например, вакансии). Для реакций комплексообразования можно записать следующее: для дивакансий V + V ←→ V2, (1.1) для тривакансий V + V + V ←→ V3, (1.2)
Доступ онлайн
от 49 ₽
В корзину