В книге представлены базовые понятия теории переходной схемотехники, необходимые для разработки новой элементной базы суперкомпьютеров различных типов. Теорию переходной схемотехники отличает новая компонентная концепция синтеза наноструктур, в которой минимальным компонентом для синтеза схем является не транзистор, а материал и переход (связь) между материалами. Приводятся данные экспериментального 2D и 3D моделирования физических и электрических процессов в кремниевых переходных наноструктурах с минимальным топологическим размером 10-20 нм и сравнительный анализ четырех типов схемотехник. Книга может быть рекомендована научным работникам, аспирантам и инженерам, специализирующимся в области разработки элементной базы суперкомпьютеров и альтернативных вычислительных систем, а также бакалаврам и магистрам, обучающимся по специальностям «Нанотехнология и микросистемная техника», «Электроника и наноэлектроника», «Вычислительные системы, комплексы и сети».

Трубочкина, Н. К. Моделирование 3D наносхемотехники / Трубочкина Н.К., - 2-е изд., (эл.) - Москва :БИНОМ. Лаб. знаний, 2015. - 526 с.: ISBN 978-5-9963-2633-4. - Текст : электронный. - URL: https://znanium.com/catalog/product/539123 (дата обращения: 25.02.2021)

• 161008: Электроэнергетика. Электротехника

• 3284: Общая радиотехника

• 681: Точная механика. Автоматика. Приборостроение

• 11.04.04: Электроника и наноэлектроника

• 47.41: Радиоэлектронные схемы

Трубочкина Надежда Константиновна

Национальный исследовательский университет "Высшая школа экономики"

• Моделирование 3D наносхемотехники, 2020, 629782.02.99