Размер шрифта:
А
А
А
|  Шрифт:
Arial
Times
|  Интервал:
Стандартный
Средний
Большой
|  Цвет сайта:
Ц
Ц
Ц
Ц
Ц

Радиационные эффекты в кремниевых интегральных схемах космического применения

Доступ онлайн
83 Р
В корзину

Радиационные эффекты в кремниевых интегральных схемах космического применения

Нет доступа
Издательство: Лаборатория знаний
Вид издания: Монография
Уровень образования: ВО - Магистратура
Год издания
2017
Кол-во страниц
307
ISBN
978-5-00101-445-4
Артикул
629769.01.99
Аннотация
В монографии анализируется влияние ионизирующих излучений (ИИ), преимущественно космического пространства, на характеристики изделий микро- и наноэлектроники. Рассмотрены: основы физики взаимодействий ИИ с полупроводниками; изменение электрофизических параметров приборных структур в результате образования наноразмерных дефектов под действием ИИ; дозовые ионизационные эффекты в структуре Si/SiO2 и их влияние на характеристики приборов и микросхем; особенности радиационных испытаний изделий, изготовленных по МОП-, КМОП-, а также по биполярной технологии, на стойкость к воздействию низкоинтенсивного ИИ; одиночные события в изделиях микро- и наноэлектроники при воздействии отдельных заряженных частиц. Для технических специалистов, работающих в области электроники, а также для студентов и аспирантов.
Библиографическая запись Скопировать запись
Таперо, К. И. Радиационные эффекты в кремниевых интегральных схемах космического применения: Монография / Таперо К.И., Улимов В.Н., Членов А.М., - 3-е изд., (эл.) - Москва :Лаборатория знаний, 2017. - 307 с.: ISBN 978-5-00101-445-4. - Текст : электронный. - URL: https://znanium.com/catalog/product/540517 (дата обращения: 03.07.2020). – Режим доступа: по подписке.