Размер шрифта:
А
А
А
|  Шрифт:
Arial
Times
|  Интервал:
Стандартный
Средний
Большой
|  Цвет сайта:
Ц
Ц
Ц
Ц
Ц

Фундаментальные основы процессов химического осаждения пленок и структур для наноэлектроники

Доступ по подписке только в составе Коллекции

Фундаментальные основы процессов химического осаждения пленок и структур для наноэлектроники

Нет доступа
Основная коллекция
Вид издания: Монография
Уровень образования: ВО - Магистратура
Год издания
2013
Кол-во страниц
176
ISBN
978-5-7692-1272-7
Артикул
669051.01.99
Аннотация
В монографии представлены результаты развития процессов химического осаждения из газовой фазы металлических и диэлектрических пленок с использованием нетрадиционных летучих исходных соединений, а именно, комплексных соединений металлов и кремнийорганических соединений, синтезируемых в ИНХ СО РАН и ИрИХ СО РАН. Рассматриваются результаты исследования физико-химических свойств исходных соединений. Изложены принципы выбора исходных соединений, основанные на исследовании их термодинамических свойств и термодинамическом моделировании MO CVD процессов. Получены и исследованы наиболее важные для современной электроники и наноэлектроники материалы: металлические пленки (Cu, Ni, Ru, Ir), диэлектрические пленки с высоким (high-k) и низким (low-k) значением диэлектрической проницаемости. Изучены химический, фазовый состав и структура простых и сложных оксидов на основе HfO2 (high-k диэлектрики), а также карбонитридов бора, карбонитридов и оксикарбонитридов кремния (low-k диэлектрики). Книга адресуется студентам, аспирантам, инженерам и научным сотрудникам, занимающимся химией твердого тела, микроэлектроникой и технологией материалов электронной техники.
Библиографическая запись Скопировать запись
Кузнецов, Ф. А. Фундаментальные основы процессов химического осаждения пленок и структур для наноэлектроники: Монография / Кузнецов Ф.А., Смирнова Т.П. - Новосибирск :СО РАН, 2013. - 176 с. ISBN 978-5-7692-1272-7. - Текст : электронный. - URL: https://znanium.com/catalog/product/924967 (дата обращения: 29.11.2020). – Режим доступа: по подписке.