Книжная полка Сохранить
Размер шрифта:
А
А
А
|  Шрифт:
Arial
Times
|  Интервал:
Стандартный
Средний
Большой
|  Цвет сайта:
Ц
Ц
Ц
Ц
Ц

Моделирование технологии и параметров кремниевых наноразмерных транзисторных структур

Доступ онлайн
650 Р
В корзину

Моделирование технологии и параметров кремниевых наноразмерных транзисторных структур

Покупка
Вид издания: Практическое пособие
Уровень образования: ВО - Бакалавриат
Год издания
2012
Кол-во страниц
80
ISBN
978-5-7262-1730-7
Артикул
640336.01.99
Аннотация
Составлено в соответствии с Государственным образовательным стандартом по дисциплине «Наноэлектронная технология». Изложены основные темы учебного материала, входящего в лекционный курс. А именно: рассмотрены вопросы математического моделирования процессов ионного внедрения примесей в кремний с использованием как «ручного» так и программного моделирования с помощью универсальной программы технологического моделирования T-CAD фирмы Synopsys. Представлены основные принципы работы с программой, включая списки команд, обеспечивающих моделирование технологии, электрофизических и электрических характеристик классического МДП-транзис-тора. Рассмотрены результаты моделирования наноразмерных МДП-транзисторов. Методика изложения материала позволяет студентам узнать теоретические вопросы и практически освоить основы программы T-CAD. Это первое учебное пособие по программе T-CAD на русском языке. Предназначено для студентов направлений подготовки по электронике.
Библиографическая запись Скопировать запись
Воронов, Ю. Моделирование технологии и параметров кремниевых наноразмерных транзисторных структур / Воронов Ю., Касков С.Ю., Мочалкина О.Р. - Москва :НИЯУ "МИФИ", 2012. - 80 с.ISBN 978-5-7262-1730-7. - Текст : электронный. - URL: https://znanium.com/catalog/product/612490 (дата обращения: 10.08.2022). – Режим доступа: по подписке.
Текстовые фрагменты публикации